[发明专利]存储芯片的制作方法及存储芯片

权利要求书

1.一种存储芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆；所述第一晶圆包括第一衬底、第一金属层以及连接所述第一金属层的第一连接孔，所述第一连接孔设置于所述第一衬底的一侧，或设置于背离所述第一衬底的一侧；

提供第二晶圆；所述第二晶圆包括第二衬底、第二金属层以及连接所述第二金属层的第二连接孔，所述第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧，或，设置于背离所述第二衬底的一侧；

将所述第一晶圆通过所述第一连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，以形成所述存储芯片。

2.根据权利要求1所述的存储芯片的制作方法，其特征在于，

所述提供第一晶圆，包括：

在所述第一晶圆设置第一通孔，将所述第一晶圆的第一金属线通过所述第一通孔后穿出所述第一衬底，并采用重布线层的方式与所述第一连接孔连接，以将第一连接孔设置在所述第一衬底的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的存储芯片的制作方法，其特征在于，

所述提供第二晶圆，包括：

在所述第二晶圆设置第二通孔，将所述第二晶圆的第二金属线通过所述第二通孔后穿出所述第二衬底，并采用重布线层的方式与所述第二连接孔连接，以将第二连接孔设置在所述第二衬底的一侧。

4.根据权利要求1所述的存储芯片的制作方法，其特征在于，

所述第一晶圆至少包括：第一子晶圆和第二子晶圆；

所述提供第一晶圆之前，包括以下任意一项或其组合：

在所述第一子晶圆设置第一子通孔，将所述第一子晶圆的第一子金属线通过所述第一子通孔后穿出第一子衬底，并采用重布线层的方式与自身的子连接孔连接；

在所述第二子晶圆设置第二子通孔，将所述第二子晶圆的第二子金属线通过所述第二子通孔后穿出第二子衬底，并采用重布线层的方式与自身的子连接孔连接；

所述提供第一晶圆，包括：

将所述第一子晶圆和所述第二子晶圆通过分别设置在自身的子连接孔进行连接。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的存储芯片的制作方法，其特征在于，

所述第一晶圆至少包括：第一子晶圆和第二子晶圆；

所述将所述第一晶圆通过所述第一连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，包括：

将所述第一子晶圆通过自身的子连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔进行连接。

6.一种存储芯片，其特征在于，包括：

第一晶圆，包括第一衬底、第一金属层和连接所述第一金属层的第一连接孔；所述第一连接孔设置于所述第一衬底的一侧，或设置于背离所述第一衬底的一侧；

第二晶圆，包括第二衬底、第二金属层和连接所述第二金属层的第二连接孔；所述第二连接孔设置于所述第二衬底的一侧，或，设置于背离所述第二衬底的一侧；其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆层叠设置，且所述第一晶圆的第一连接孔与所述第二晶圆的第二连接孔键合连接。

7.根据权利要求6所述的存储芯片，其特征在于，所述第一晶圆还包括：

第一通孔，贯穿所述第一衬底；

第一金属线，穿过所述第一通孔并延伸至所述第一衬底的表面，以分别与所述第一金属层和所述第一连接孔连接。

8.根据权利要求6所述的存储芯片，其特征在于，所述第二晶圆还包括：

第二通孔，贯穿所述第二衬底；

第二金属线，穿过所述第二通孔并延伸至所述第二衬底的表面，以分别与所述第二金属层和所述第二连接孔连接。