[发明专利]存储芯片的制作方法及存储芯片

说明书

本申请提供一种存储芯片的制作方法及存储芯片。该存储芯片的制作方法包括：提供第一晶圆；第一晶圆包括第一衬底、第一金属层以及连接第一金属层的第一连接孔，第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层以及连接第二金属层的第二连接孔，第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；将第一晶圆通过第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，以形成存储芯片。该存储芯片的制作方法工艺过程较为简单，产品良率较高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储芯片的制作方法及存储芯片。

背景技术

高带宽存储芯片(High Bandwidth Memory，HBM)是超微半导体和SK Hynix发起的一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储芯片带宽需求的应用场合，比如，图形处理器、网络交换及转发设备(如路由器、交换器)等。

目前，参见图1，图1为现有技术中制备存储芯片的流程示意图；在HBM的制备过程中，一般先提供存储晶圆和逻辑晶圆，并对存储晶圆和逻辑晶圆进行测试；其中，存储晶圆和逻辑晶圆上均制作有硅通孔(through silicon via，TSV)；然后对测试后的存储晶圆进行切割以形成若干小颗粒；将若干小颗粒层叠设置以堆叠成两层、四层、八层或十二层等多层的颗粒堆；之后将堆叠好的颗粒堆层叠设置在经测试后的第二晶圆上，以形成存储芯片。

然而，现有方法不仅工艺较为复杂，良率较低；且所得产品的对准精度较低，线宽、线距以及产品体积较大。

发明内容

本申请提供的存储芯片的制作方法及存储芯片，该存储芯片的制作方法能够解决现有方法工艺较为复杂，产品良率较低的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种存储芯片的制作方法。该方法包括：提供第一晶圆；第一晶圆包括第一衬底、第一金属层以及连接第一金属层的第一连接孔，第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二衬底、第二金属层以及连接第二金属层的第二连接孔，第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；将第一晶圆通过第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，以形成存储芯片。

其中，提供第一晶圆，包括：在第一晶圆设置第一通孔，将第一晶圆的第一金属线通过第一通孔后穿出第一衬底，并采用重布线层的方式与第一连接孔连接，以将第一连接孔设置在第一衬底的一侧。

其中，提供第二晶圆，包括：在第二晶圆设置第二通孔，将第二晶圆的第二金属线通过第二通孔后穿出第二衬底，并采用重布线层的方式与第二连接孔连接，以将第二连接孔设置在第二衬底的一侧。

其中，第一晶圆至少包括：第一子晶圆和第二子晶圆；提供第一晶圆之前，包括以下任意一项或其组合：在第一子晶圆设置第一子通孔，将第一子晶圆的第一子金属线通过第一子通孔后穿出第一子衬底，并采用重布线层的方式与自身的子连接孔连接；在第二子晶圆设置第二子通孔，将第二子晶圆的第二子金属线通过第二子通孔后穿出第二子衬底，并采用重布线层的方式与自身的子连接孔连接；提供第一晶圆，包括：将第一子晶圆和第二子晶圆通过分别设置在自身的子连接孔进行连接。

其中，第一晶圆至少包括：第一子晶圆和第二子晶圆；将第一晶圆通过第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔层叠键合连接，包括：将第一子晶圆通过自身的子连接孔与第二晶圆的第二连接孔进行连接。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种存储芯片。该存储芯片包括：第一晶圆，包括第一衬底、第一金属层和连接第一金属层的第一连接孔；第一连接孔设置于第一衬底的一侧，或设置于背离第一衬底的一侧；第二晶圆，包括第二衬底、第二金属层和连接第二金属层的第二连接孔；第二连接孔设置于第二衬底的一侧，或，设置于背离第二衬底的一侧；其中，第一晶圆和第二晶圆层叠设置，且第一晶圆的第一连接孔与第二晶圆的第二连接孔键合连接。