[发明专利]一种生长基板、发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种生长基板，其特征在于，用于制备发光二极管，所述生长基板包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底的光吸收率不同；

所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧包括第一立体图案；

所述生长基板在第一位置处的厚度小于所述生长基板在第二位置处的厚度；

所述生长基板在所述第一位置处的光吸收量为α1，所述生长基板在所述第二位置处的光吸收量为α2，并且，|α1-α2|/α2＜20％。

2.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

|α1-α2|/α2＜10％。

3.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述第一衬底靠近所述第二衬底的一侧包括第二立体图案；

所述第一衬底在所述第一位置处的厚度与所述第一衬底在所述第二位置处的厚度不同，所述第二衬底在所述第一位置处的厚度与所述第二衬底在所述第二位置处的厚度不同。

4.根据权利要求3所述的生长基板，其特征在于，所述第一衬底的光吸收率大于所述第二衬底的光吸收率。

5.根据权利要求4所述的生长基板，其特征在于，

所述第一衬底在所述第一位置处的厚度大于所述第一衬底在所述第二位置处的厚度。

6.根据权利要求4所述的生长基板，其特征在于，

所述第一立体图案包括第一凹槽结构，所述第二立体图案包括第一凸起结构，所述第一凹槽结构与所述第一凸起结构对应设置。

7.根据权利要求4所述的生长基板，其特征在于，

所述第一立体图案包括第二凸起结构，所述第二立体图案包括第二凹槽结构，所述第二凸起结构与所述第二凹槽结构对应设置。

8.根据权利要求3所述的生长基板，其特征在于，

所述第一衬底的光吸收率小于所述第二衬底的光吸收率。

9.根据权利要求8所述的生长基板，其特征在于，

所述第二衬底在所述第一位置处的厚度大于所述第二衬底在所述第二位置处的厚度。

10.根据权利要求8所述的生长基板，其特征在于，

所述第一立体图案包括第三凹槽结构，所述第二立体图案包括第四凹槽结构，所述第三凹槽结构与所述第四凹槽结构对应设置，且所述第三凹槽结构的深度小于所述第四凹槽结构的深度。

11.根据权利要求8所述的生长基板，其特征在于，

所述第一立体图案包括第三凸起结构，所述第二立体图案包括第四凸起结构，所述第三凸起结构与所述第四凸起结构对应设置，且所述第三凸起结构的高度小于所述第四凸起结构的高度。

12.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述第二衬底在所述第一位置处的厚度为D1，所述第二衬底在所述第二位置处的厚度为D2，所述第一衬底在所述第一位置处的厚度为D3，所述第一衬底在所述第二位置处的厚度为D4；所述第一衬底的光吸收率为α3，所述第二衬底的光吸收率为α4；

其中，(D1*α4)+(D3*α3)＝(D2*α4)+(D4*α3)。

13.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述第二衬底在所述第一位置处的厚度为D1，所述第二衬底在所述第二位置处的厚度为D2，所述第一衬底在所述第一位置处的厚度为D3，所述第一衬底在所述第二位置处的厚度为D4；所述第一衬底的光吸收率为α3，所述第二衬底的光吸收率为α4；

其中，(D1*α4)+(D3*α3)＞(D2*α4)+(D4*α3)。

14.根据权利要求1所述的生长基板，其特征在于，

所述第一衬底包括蓝宝石衬底；

所述第二衬底包括GaN衬底或金属氧化物衬底。