[发明专利]一种生长基板、发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开了一种生长基板、发光二极管及其制备方法。其中，生长基板用于制备发光二极管，生长基板包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，第一衬底和第二衬底的光吸收率不同，第二衬底远离第一衬底的一侧包括第一立体图案，生长基板在第一位置处的厚度小于生长基板在第二位置处的厚度，生长基板在第一位置处的光吸收量为α1，生长基板在第二位置处的光吸收量为α2，并且，|α1‑α2|/α2＜20％。本发明提供的生长基板、发光二极管及其制备方法，通过设置生长基板包括吸收率不同的第一衬底和第二衬底，改善激光剥离时生长基板与发光二极管之间的界面处的激光能量均一性，解决激光剥离过程中易导致发光二极管损伤的问题，提高激光剥离良率。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种生长基板、发光二极管及其制备方法。

背景技术

小尺寸的发光二极管如Mini-LED(次毫米发光二极管)、Micro-LED(微发光二极管)等具有高解析度、高亮度、省电、响应速度快、出光效率高和高寿命等优点，被广泛应用于手机、笔记本电脑和电视等显示领域。

现有的发光二极管通常是在生长基板上生长而成，后续通过激光剥离工艺将发光二极管从生长基板上剥离下来，转移到阵列基板上，从而实现显示功能，但在激光剥离的过程中容易造成发光二极管损伤，影响产品良率。

发明内容

本发明提供一种生长基板、发光二极管及其制备方法，以解决激光剥离过程中易导致发光二极管损伤的问题，提高激光剥离良率。

第一方面，本发明实施例提供了一种生长基板，用于制备发光二极管，生长基板包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底的光吸收率不同；

所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧包括第一立体图案；

所述生长基板在第一位置处的厚度小于所述生长基板在第二位置处的厚度；

所述生长基板在所述第一位置处的光吸收量为α1，所述生长基板在所述第二位置处的光吸收量为α2，并且，|α1-α2|/α2＜20％。

第二方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管，所述发光二极管由第一方面所述的生长基板制备而成；

所述发光二极管包括第一型半导体、有源层和第二型半导体，所述有源层位于所述第一型半导体和所述第二型半导体之间，所述第一型半导体远离所述第二型半导体的一侧具有立体图案。

第三方面，本发明实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，用于制备第二方面所述的发光二极管，所述制备方法包括：

提供生长基板，其中，所述生长基板包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底的光吸收率不同，所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧包括第一立体图案，所述生长基板在第一位置处的厚度小于所述生长基板在第二位置处的厚度，所述生长基板在所述第一位置处的光吸收量为α1，所述生长基板在所述第二位置处的光吸收量为α2，并且，|α1-α2|/α2＜20％；

在所述生长基板上制备所述发光二极管；

对所述生长基板远离所述发光二极管的一侧进行光照，以将所述发光二极管从所述生长基板上剥离。