[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202110994162.1 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN114122075A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 丁元俊;朴相武;郑解霖 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王永建 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其包括:
显示面板,其包括显示区域和非显示区域;
设置在所述非显示区域中的至少一个薄膜晶体管;
设置在所述非显示区域中的至少两个或更多个分压电容器;以及
用于将所述至少两个分压电容器中的两个相邻的分压电容器彼此相连的桥接线。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非显示区域包括:
设置在基板上的遮光膜;
设置在所述遮光膜上的缓冲和栅极绝缘膜;
设置在所述缓冲和栅极绝缘膜上的栅极金属膜;
设置在所述缓冲和栅极绝缘膜以及所述栅极金属膜上的层间绝缘膜;以及
设置在所述层间绝缘膜上的源漏极金属膜,
其中,在平面图中,所述源漏极金属膜形成用于将所述两个相邻的分压电容器彼此相连的所述桥接线。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述缓冲和栅极绝缘膜包括弯曲的第一区域和平坦的第二区域,
其中,所述栅极金属膜形成于所述缓冲和栅极绝缘膜上的所述第二区域中,从而不到达所述第一区域。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述栅极金属膜由光刻胶形成,所述光刻胶具有与所述缓冲和栅极绝缘膜的所述第二区域相比宽度较小的图案化部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述非显示区域包括:
放置所述至少一个薄膜晶体管的晶体管区域;以及
放置所述至少两个或更多个分压电容器的电容器区域。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述至少两个或更多个分压电容器中的每一个的源漏极金属从所述电容器区域延伸并且连接到所述晶体管区域中的所述至少一个薄膜晶体管中的每一个的源漏极。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在平面图中,在所述电容器区域中,4个分压电容器中的相邻分压电容器通过所述桥接线彼此相连。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在平面图中,通过所述桥接线彼此相连的所述两个分压电容器之间的距离在通过所述桥接线连接的部分中较大。
9.根据权利要求1、2和5中任一项所述的显示装置,其中,多个面板中栅极驱动器(GIP)电路布置在所述非显示区域中。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述非显示区域包括第一非显示区域和第二非显示区域,其中所述第一非显示区域和所述第二非显示区域中的每一个包括布置在其中的所述多个GIP电路。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,分别连接到多条栅极线中的奇数栅极线的多个GIP电路布置在所述第一非显示区域中,
其中分别连接到所述多条栅极线中的偶数栅极线的多个GIP电路布置在所述第二非显示区域中。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述GIP电路包括GIP结构的栅极驱动器,
其中所述栅极驱动器形成为底栅型薄膜晶体管,
其中所述源漏极金属膜延伸并且连接到漏极,所述栅极金属膜延伸并且连接到栅极。
13.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
(a)在基板上形成遮光膜,使得所述基板的一部分被暴露;
(b)在所述基板的暴露部分和所述遮光膜上形成缓冲和栅极绝缘膜;
(c)在所述缓冲和栅极绝缘膜上形成栅极金属膜,使得所述缓冲和栅极绝缘膜的一部分被暴露;
(d)在暴露的缓冲和栅极绝缘膜以及所述栅极金属膜上形成层间绝缘膜;以及
(e)在所述层间绝缘膜上形成源漏极金属膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的