[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202110994162.1 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN114122075A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 丁元俊;朴相武;郑解霖 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王永建 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
公开了一种显示装置及其制造方法,尤其是公开了一种具有桥接线的GIP型显示装置,所述桥接线将电容器区域中的两个相邻的分压电容器彼此相连,使得在向薄膜晶体管供应扫描信号或感测信号时,在非显示区域中的电容器区域中不会发生泄漏。此外,公开了一种用于制造该显示装置的方法。为此,在基板上形成遮光膜,在遮光膜上形成缓冲和栅极绝缘膜,在缓冲和栅极绝缘膜上形成栅极金属膜,在栅极金属膜上形成层间绝缘膜,以及在层间绝缘膜上形成源漏极金属膜,所述源漏极金属膜形成将所述两个相邻的分压电容器彼此相连的所述桥接线。
技术领域
本公开涉及可以在面板中栅极驱动器(GIP)型的显示装置中的包括至少两个(换句话说,两个或更多个)分压电容器的电容器区域中通过桥接线将两个分压电容器彼此相连的显示装置及其制造方法。
背景技术
GIP型显示装置采用在显示面板的非显示区域(或非显示区)中直接形成栅极驱动电路的方法。
与带式自动接合(TAB)方法相比,GIP方法的优点在于不仅可以提高外观美感,而且可以降低成本,因为显示装置能够变得更薄,并且显示面板制造商可以直接设计多个扫描信号来补偿像素的驱动薄膜晶体管(TFT)的阈值电压。因此,近来,通过GIP方法、而不是通过TAB方法来形成栅极驱动电路。
晶体管区域(或晶体管区)和电容器区域(或电容器区)设置在GIP型显示装置的非显示区域中。晶体管区域包括开关薄膜晶体管Tsw和感测薄膜晶体管Tss。电容器区域包括至少两个分压电容器,用于维持供应给该晶体管区域的功率(电力)。
因此,当通过开关薄膜晶体管Tsw提供扫描信号或通过感测薄膜晶体管Tss提供感测信号时,GIP型显示装置通过电容器区域维持所需的恒定功率。
发明内容
在GIP型显示装置的电容器区域中,每个分压电容器包括对应于第一电极的源极/漏极(S/D)金属和对应于第二电极的栅极金属,S/D金属和栅极金属形成电容器,其间插设有绝缘层。
在电容器区域中,两个相邻的分压电容器通过桥接线彼此相连,该桥接线通过从一个分压电容器的S/D金属延伸到另一个分压电容器的S/D金属形成。
在该桥接线中,S/D金属位于上层,栅极金属位于下层,其间插设有绝缘层。由于两个金属层之间缺乏交叠余量以及下部阶梯结构的影响,存在有在供电期间出现细微泄漏的问题。
此外,存在有在使用感测薄膜晶体管的感测操作期间在GIP充电节点处发生电压降、从而导致输出噪声的问题。
因此,为了解决上述问题,本公开的发明人发明了一种显示装置,该显示装置被配置为使得对于在显示装置的非显示区域中将分压电容器彼此相连的桥接线BL,每个分压电容器的从第一电极延伸的源漏极S/D与从第二电极延伸的栅极金属之间的内部间距在源漏极S/D的弯曲区域中比以往更大。
此外,本公开的发明人已经发明了一种显示装置的制造方法,以用于形成显示装置,其中,对于桥接线BL,位于顶层的源漏极金属膜S/D将两个分压电容器彼此相连,栅极金属向内形成于缓冲和栅极绝缘膜上,并在其间插设有绝缘层,源漏极金属膜S/D连接到每个薄膜晶体管的漏极,并且栅极金属膜连接到每个薄膜晶体管的栅极,由此使得所述显示装置具有上面描述的结构。
上述本公开的目的不限于上面提及的目的。本公开未提及的其他目的和优点可以通过以下描述被理解,并且将通过本公开的实施例被更清楚地理解。此外,将容易理解,本公开的目的和优点可以通过权利要求中描述的手段及其组合来实现。
可以提供根据本公开的实施例的显示装置。该显示装置形成为使得,对于在显示面板的非显示区域中包括至少两个分压电容器的电容器区域中将相邻分压电容器彼此相连的桥接线,源漏极形成于顶层以将两个分压电容器彼此相连,栅极金属向内位于下层,其间插设有绝缘层,并且栅极金属形成于缓冲和栅极金属膜的顶面上,与源漏极通过不会引起泄漏的一定间距间隔开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的