[发明专利]电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备在审
申请号: | 202110994670.X | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113764301A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 孙春生;王盼;王玉涛 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 张一帆 |
地址: | 055550 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 se 金属 套印 异常 预测 方法 电子设备 | ||
1.一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法,所述预测方法应用于待测硅片,所述待测硅片的表面通过激光打印有第一定位点、第二定位点和多条相互平行的SE线,所述方法包括:
采集所述待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息;
根据所述第一定位点的信息和所述第二定位点的信息确定所述待测硅片的位置;
基于所述待测硅片的位置检测所述待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值;
若所述起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的所述距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值,预测所述电池片的SE线和金属栅线套印异常。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述基于所述待测硅片的位置检测所述待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值,包括:
基于所述待测硅片的位置沿与所述SE线相交的方向将所述待测硅片划分成至少两个待检测区,所述SE线被划分至不同的所述待检测区内,每个所述待检测区中SE线的数目相等;
分别检测每个所述待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为所述距离测试值。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,距离所述起始SE线最远的SE线作为终止SE线,所述分别检测每个所述待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为所述距离测试值,包括:
按照逐渐远离所述起始SE线的顺序,分别依次检测所述其他SE线中每个SE线与所述起始SE线之间的距离并作为所述距离测试值,直至检测所述终止SE线与所述起始SE线之间的距离。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述分别依次检测所述其他SE线中每个SE线与所述起始SE线之间的距离并作为所述距离测试值,包括:
采集所述起始SE线的起始位置对应的位置信息;
按照相邻两条SE线之间的线间距标准值,在依次远离所述起始SE线一个所述线间距标准值的位置处采集对应的SE线的位置信息,其中,L=X/(N-1),L表示线间距标准值,X表示PT标准值,N表示SE线的总条数;
根据任意相邻的两条SE线的位置信息确定每相邻两个SE线之间的距离;
自所述起始SE线开始依次累加每相邻两个SE线之间的距离得到所述起始SE线和其他SE线中对应的SE线之间的距离并作为所述距离测试值。
5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘,所述至少两个待检测区包括靠近所述第一边缘的第一待检测区和靠近所述第二边缘的第二待检测区,针对于所述第一待检测区,在所述采集所述起始SE线的起始位置对应的位置信息之前,所述方法还包括:
采集所述第一边缘的第三位置信息;
根据所述第三位置信息确定所述第一边缘的位置;
将所述第一待检测区中所述起始SE线上距离所述第一边缘的位置预设距离的位置作为所述起始位置。
6.根据权利要求4所述的方法,其中,所述待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘,所述至少两个待检测区包括靠近所述第一边缘的第一待检测区、靠近所述第二边缘的第二待检测区以及位于所述第一待检测区和所述第二待检测区之间的第三待检测区,针对于所述第三待检测区,在所述采集所述起始SE线的起始位置对应的位置信息之前,所述方法还包括:
采集所述第三待检测区靠近所述第一待检测区的边缘的第四位置信息和所述第三待检测区靠近所述第二待检测区的边缘的第五位置信息;
根据所述第四位置信息和所述第五位置信息确定平分所述第三待检测区的中线;
确定所述第三待检测区中所述起始SE线和所述中线的交点并作为所述起始位置。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一定位点和所述第二定位点均位于相邻两条所述SE线之间,所述根据所述第一定位点的信息和所述第二定位点的信息确定所述待测硅片的位置,包括:
根据所述第一定位点的信息和所述第二定位点的信息,确定所述第一定位点与所述第二定位点之间的中心点,将所述中心点作为所述待测硅片的位置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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