[发明专利]电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备

说明书

本发明涉及一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备，其中方法包括：通过采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息，并根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置，然后基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，则说明相应区域的SE线的均匀性较差，致使后期印刷的金属栅线和SE线不易对准，从而准确地预测由SE激光台面水平差异导致的电池片的SE线和金属栅线套印异常。

技术领域

本发明涉及太阳能电池工艺技术领域，特别是涉及一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备。

背景技术

选择性发射极(selective emitter，SE)激光掺杂技术是一种通过激光线使掺杂元素在硅片的表面的局部区域扩散而形成重掺杂区域(发射极)的技术，该重掺杂区域可以称为选择性发射极，选择性发射极用于与金属栅线(电极)连接。通过在硅片的表面形成选择性发射极可以降低硅片表面的掺杂浓度，提升晶硅太阳能电池的开路电压。通过使硅片的表面印刷的金属栅线和SE线之间具有良好的套印效果，这能保证金属栅线和选择性发射极形成良好的欧姆接触，提升晶硅太阳能电池的填充因子和晶硅太阳能电池的效率。

SE激光机台台面水平影响在硅片的表面打印的激光图形的图形长度值Pitch(简称PT)值和线间距，采用Micro-VU测量仪中运行的自动测量程序可以测量垂直于SE线方向的PT值，通过PT值和标准值比较可以获知垂直于SE线方向的SE激光机台台面水平差异和激光图像的畸变程度。但是Micro-VU测量仪无法测量平行于SE线方向的PT值，无法知晓平行于SE线方向的SE激光机台台面水平差异和激光图形畸变程度，这难以保证印刷时金属栅线与SE线之间具有良好的套印效果。

发明内容

基于此，本发明提供一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备，能够预测平行于SE线方向和垂直于SE线方向的SE激光机台台面水平差异情况和激光图形畸变程度，保证印刷时金属栅线与SE线之间具有良好的套印效果。

第一方面，提供一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法，该预测方法应用于待测硅片，待测硅片的表面通过激光打印有第一定位点、第二定位点和多条相互平行的SE线，该方法包括：

采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息；

根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置；

基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值；

若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，预测电池片的SE线和金属栅线套印异常。

在一种可能的实现方式中，基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：

基于待测硅片的位置沿与SE线相交的方向将待测硅片划分成至少两个待检测区，SE线被划分至不同的待检测区内，每个待检测区中SE线的数目相等；

分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值。

在一种可能的实现方式中，距离起始SE线最远的SE线作为终止SE线，分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：

按照逐渐远离起始SE线的顺序，分别依次检测其他SE线中每个SE线与起始SE线之间的距离并作为距离测试值，直至检测终止SE线与起始SE线之间的距离。

在一种可能的实现方式中，分别依次检测其他SE线中每个SE线与起始SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：