[发明专利]显示装置有效
申请号: | 202110994985.4 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113745266B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 张延任;王彦凯 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
基板;
多条扫描线,配置于所述基板上,且沿第一方向延伸;
多条数据线,配置于所述基板上,且沿第二方向延伸,其中所述第一方向与所述第二方向相交;
多个发光元件,阵列排列于所述基板上,每一所述发光元件被所述多条扫描线的相邻两条及所述多条数据线的相邻两条围绕,且所述发光元件与所述多条扫描线的其中一者和所述多条数据线的其中一者电性连接;
第一降反射层,覆盖所述多条扫描线和所述多条数据线,且具有多个开口,其中所述多个开口暴露出所述发光元件;以及
第二降反射层,配置于所述基板上,在所述显示装置的俯视图中,所述第二降反射层至少与所述第一降反射层重叠,
所述发光元件的发光波长不同于所述第二降反射层的吸收波长,所述第一降反射层的吸收波长不同于所述第二降反射层的吸收波长。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一降反射层的颜色包括棕色,所述第二降反射层的颜色包括偏蓝色。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,经所述第一降反射层反射的反射光在D65光源条件下的CIE色度坐标(x,y)满足下述式1与式2:
0.350≦x≦0.400 式1
0.350≦y≦0.400 式2。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,经所述第一降反射层反射且穿透所述第二降反射层的反射光在D65光源条件下的CIE色度坐标(x,y)满足下述式3与式4:
0.280≦x≦0.350 式3
0.280≦y≦0.350 式4。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二降反射层的所述吸收波长为590 nm~600 nm,且所述第二降反射层在波长为590 nm~600 nm的光穿透率为0.30以下。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第二降反射层全面性地覆盖于所述基板上。
7.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第二降反射层包括:
平坦层,配置于所述基板上,且覆盖所述第一降反射层及所述发光元件;以及
吸收层,配置于所述平坦层上,在所述显示装置的俯视图中,所述吸收层至少与所述第一降反射层重叠。
8.如权利要求6所述的显示装置,其特征在于,所述第二降反射层包括:
平坦层,配置于所述基板上,且覆盖所述第一降反射层及所述发光元件;以及
吸收粒子,分散于所述平坦层中。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一降反射层自所述基板侧依序包括第一介电层、光阻层以及第二介电层,所述第二介电层共形地覆盖所述光阻层。
10.如权利要求9所述的显示装置,其特征在于,所述第一介电层与所述第二介电层的材料为氮化硅,所述光阻层的材料为正型光阻。
11.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,更包括:
多个接垫图案,阵列排列于所述基板上,所述第一降反射层的所述多个开口的其中一者暴露出至少一所述接垫图案,且所述接垫图案与所述发光元件电性连接,其中
所述多个开口的所述其中一者沿着所述第二方向延伸的一侧壁与被暴露的所述接垫图案沿着所述第二方向延伸的一侧面之间的距离为10±3% μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的