[发明专利]显示装置有效
申请号: | 202110994985.4 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113745266B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 张延任;王彦凯 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示装置,包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个发光元件、第一降反射层及第二降反射层。扫描线及数据线分别沿第一方向与第二方向延伸。发光元件被扫描线及数据线围绕。第一降反射层覆盖扫描线和数据线,且具有多个开口,其中多个开口暴露出发光元件。在显示装置的俯视图中,第二降反射层至少与第一降反射层重叠。发光元件的发光波长不同于第二降反射层的吸收波长。第一降反射层的吸收波长不同于第二降反射层的吸收波长。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置,且特别是有关于一种具有至少两种降反射层的显示装置。
背景技术
微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode,mLED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点,在目前也已被应用于平板及小型尺寸的显示装置。目前采用微型发光二极管的显示面板中金属走线外露无遮蔽,易导致显示面板存在高反射率的问题。
一般解决方式例如为:实施抗反射表面处理(Anti-Reflect surface treatment)以形成一抗反射膜于显示面板上,如此可降低约4%的反射率;或者,将一圆偏光片(circular polarizer)配置于显示面板上,虽可降低约95%的反射率,然圆偏光片会遮挡住设置有发光元件的区域(即显示面板的发光区),使得显示面板的穿透率下降约60%;或者,形成黑矩阵(Black matrix,BM)于金属走线上,然目前形成黑矩阵的制程受限于制程能力而无法大面积完全地覆盖于金属走线上,且若采用圆偏光片遮蔽露出的金属走线时,仍存在上述显示面板的穿透率下降约60%的问题。因此如何设计出同时兼具低反射率及高穿透率的显示装置,已成为本领域研究人员的一大挑战。
发明内容
本发明提供一种显示装置,其设计可有助于在降低反射率的同时,也可避免穿透率下降及维持色相等色彩特性优异,进而提升显示装置的显示效果。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置,包括基板、多条扫描线、多条数据线、多个发光元件、第一降反射层及第二降反射层。扫描线配置于基板上,且沿第一方向延伸。数据线配置于基板上,且沿第二方向延伸,其中第一方向与第二方向相交。发光元件阵列排列于基板上。每一发光元件被多条扫描线的相邻两条及多条数据线的相邻两条围绕,且发光元件与多条扫描线的其中一者和多条数据线的其中一者电性连接。第一降反射层覆盖多条扫描线和多条数据线,且具有多个开口,其中开口暴露出发光元件。第二降反射层配置于基板上。在显示装置的俯视图中,第二降反射层至少与第一降反射层重叠。发光元件的发光波长不同于第二降反射层的吸收波长,第一降反射层的吸收波长不同于第二降反射层的吸收波长。
在本发明的一实施例中,上述第一降反射层的颜色包括棕色,上述第二降反射层的颜色包括偏蓝色。
在本发明的一实施例中,经第一降反射层反射的反射光在D65光源条件下的国际照明委员会(Commission Internationale del’Eclairage,CIE)色度坐标(x,y)满足下述式(1)与式(2):
0.350≦x≦0.400 式(1)
0.350≦y≦0.400 式(2)。
在本发明的一实施例中,经第一降反射层反射且穿透第二降反射层的反射光在D65光源条件下的CIE色度坐标(x,y)满足下述式(3)与式(4):
0.280≦x≦0.350 式(3)
0.280≦y≦0.350 式(4)。
在本发明的一实施例中,上述第二降反射层的吸收波长为590nm~600nm,且第二降反射层在波长为590nm~600nm的光穿透率为0.30以下。
在本发明的一实施例中,上述第二降反射层全面性地覆盖于基板上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的