[发明专利]套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质

说明书

本申请适用于半导体技术领域，提供了一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质。该补偿方法包括：从N个对准记号中，确定M个待插值记号组，待插值记号组包括至少两个对准记号；获取N个对准记号的套刻误差；对于第i个待插值记号组，第i个待插值记号组为M个待插值记号组中的任一待插值记号组，根据第i个待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个待插值记号组对应的插值点的套刻误差；根据N个对准记号的套刻误差和M个待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对晶圆进行误差补偿。通过可本申请可在不增加晶圆上对准记号的基础上，得到较多的套刻误差，基于这些套刻误差，对晶圆进行误差补偿，能够提高套刻精度。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质。

背景技术

晶圆在光刻工艺中有两个重要的流程，分别是对准和曝光。在对晶圆进行对准时，较常用的方法是在晶圆上设置对准记号，通过对对准记号的扫描和对准，实现晶圆的对准。

晶圆上的对准记号可以用来搜索套刻误差，以进行误差补偿，提高套刻精度。但是由于晶圆的面积限制，导致晶圆上设置的对准记号的数量有限，进而导致套刻误差的数量有限，套刻精度较低。

发明内容

本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质，以解决现有技术中晶圆上设置的对准记号的数量有限，导致套刻误差的数量有限，套刻精度较低的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿方法，晶圆上设置有N个对准记号，N为大于1的整数，所述补偿方法包括：

从N个所述对准记号中，确定M个待插值记号组，M为大于零的整数，所述待插值记号组包括至少两个对准记号；

获取N个所述对准记号的套刻误差；

对于第i个所述待插值记号组，第i个所述待插值记号组为M个所述待插值记号组中的任一所述待插值记号组，根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差；

根据N个所述对准记号的套刻误差和M个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对所述晶圆进行误差补偿。

第二方面，本申请实施例提供了一种套刻误差的补偿装置，晶圆上设置有N个对准记号，N为大于1的整数，所述补偿装置包括：

记号组确定模块，用于从N个所述对准记号中，确定M个待插值记号组，M为大于零的整数，所述待插值记号组包括至少两个对准记号；

误差获取模块，用于获取N个所述对准记号的套刻误差；

误差确定模块，用于对于第i个所述待插值记号组，第i个所述待插值记号组为M个所述待插值记号组中的任一所述待插值记号组，根据第i个所述待插值记号组中的所有对准记号的套刻误差，确定第i个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差；

误差补偿模块，用于根据N个所述对准记号的套刻误差和M个所述待插值记号组对应的插值点的套刻误差，对所述晶圆进行误差补偿。

第三方面，本申请实施例提供了一种光刻机，包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述第一方面所述补偿方法的步骤。

第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述第一方面所述补偿方法的步骤。

第五方面，本申请实施例提供了一种计算机程序产品，当所述计算机程序产品在光刻机上运行时，使得所述光刻机执行如上述第一方面所述补偿方法的步骤。