[发明专利]一种无磷无氮半导体封装清洗剂在审
申请号: | 202110996664.8 | 申请日: | 2021-08-27 |
公开(公告)号: | CN113717798A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 白映月;屈东方 | 申请(专利权)人: | 东莞优诺电子焊接材料有限公司 |
主分类号: | C11D1/72 | 分类号: | C11D1/72;C11D3/60;C11D3/04;C11D3/20;C11D3/43;C11D11/00;H01L21/02 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 刘克宽 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无磷无氮 半导体 封装 洗剂 | ||
本发明涉及清洗剂技术领域,具体涉及一种无磷无氮半导体封装清洗剂,包括1‑苯氧基‑2‑丙醇、无机皂化剂、无泡乳化剂、pH调节剂和去离子水,所述无机皂化剂与所述pH调节剂的质量比为3~7:4.5~10.5,所述1‑苯氧基‑2‑丙醇、所述无机皂化剂和所述无泡乳化剂的质量比为20~65:3~7:20~35,所述去离子水的电导率小于5μs。1‑苯氧基‑2‑丙醇、无机皂化剂、无泡乳化剂、pH调节剂协同作用,使得半导体封装清洗剂具有环境友好且清洗效率高的优点。
技术领域
本发明涉及清洗剂技术领域,具体涉及一种无磷无氮半导体封装清洗剂。
背景技术
半导体作为现代电子工业发展的基础及支撑,在电子工业的应用和所选用的材料也越来越广泛。但随着半导体产品的集成化、高精密、高可靠性的要求不断提高,对半导体封装清洗业的关注度和清洗的可靠性也越来越高。半导体器件封装过程中通常会使用助焊剂和焊锡膏作为焊接辅料,这些辅料在焊接过程或多或少都会有部分残留物。残留物和污染物成分复杂且在空气氧化和湿气作用下特别在高温高湿的环境下对器件有腐蚀的风险,造成器件安全性降低。为了确保半导体器件的品质和高可靠性,必须在封装工艺引入清洗工序和使用清洗剂。
现有技术中的半导体封装清洗剂,清洗主要材料常选择四氢糠醇或醚醇类溶剂,其中四氢糠醇会对人体生育能力造成危害;助剂材料选择胺类、辛醇磷酸酯等提升清洗力,而含磷、氮类助剂会对环境形成污染。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种无磷无氮半导体封装清洗剂,具有环境友好、清洗效率高的优点。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
提供一种无磷无氮半导体封装清洗剂,包括1-苯氧基-2-丙醇、无机皂化剂、无泡乳化剂、pH调节剂和去离子水,所述无机皂化剂与所述pH调节剂的质量比为3~7:4.5~10.5,所述1-苯氧基-2-丙醇、所述无机皂化剂和所述无泡乳化剂的质量比为20~65:3~7:20~35,所述去离子水的电导率小于5μs。
上述技术方案中,所述无磷无氮半导体封装清洗剂包括如下重量百分比的原料:
上述技术方案中,所述无机皂化剂为氢氧化钾。
上述技术方案中,所述无泡乳化剂为烯丙基聚醚,其耐酸碱,并且在无机皂化剂中不易析出;含有双键,能提高1-苯氧基-2-丙醇的亲水性,从而提高清洗效率。
上述技术方案中,所述pH调节剂为乳酸。
上述技术方案中,所述无磷无氮半导体封装清洗剂包括如下重量百分比的原料:
上述技术方案中,所述无磷无氮半导体封装清洗剂包括如下重量百分比的原料:
本发明的有益效果:
(1)本发明的半导体封装清洗剂,以1-苯氧基-2-丙醇为醇类溶剂,1-苯氧基-2-丙醇具有高闪点、高沸点,不容易挥发,并且气味低,符合环保要求;无机皂化剂不含N/P,不仅符合环保要求,而且具有强去污能力;由于无机皂化剂呈碱性,使用pH调节剂将清洗剂pH调节为中性能够避免清洗剂腐蚀半导体材料,同时避免了使用含氮缓蚀剂造成的环境污染;无泡乳化剂的添加避免清洗剂在使用过程中产生泡沫,避免了因泡沫造成清洗力下降,大大提升了清洗工艺的效率并且避免了其他聚醚类乳化剂使用过程中容易产生泡沫需添加消泡剂去除的问题。1-苯氧基-2-丙醇、无机皂化剂、无泡乳化剂、pH调节剂协同作用,使得半导体封装清洗剂具有环境友好且清洗效率高的优点。
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