[发明专利]内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法

权利要求书

1.一种内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：包括如下步骤：a.准备制备原料，准备的原料包括正性光刻胶AZ9260、丙酮、丁内酯、ZX-238显影液、铬、银合金、N-甲基吡咯烷酮溶液；b.利用丙酮和丁内酯对正性光刻胶AZ9260进行稀释，得到稀释后的光刻胶溶液；c. 将得到的稀释后的光刻胶溶液均匀喷涂在事先准备好的柱面棱镜内部得到样件，喷涂的厚度为5~6µm；d.将步骤c中得到的样件放入恒温烘箱，以104℃-106℃恒温烘烤5-10分钟；e.烘烤后采用激光直写曝光技术对样件进行刻蚀；f. 刻蚀后利用ZX-238显影液对样件进行显影，显影时间50~70秒，显影后得到满足要求的沟槽线条线宽12 µm，周期400 µm；g.然后将显影后的样件放入超纯水中冲洗10~15秒，再用压缩空气将样件表面水分吹干；h.吹干样件后将其放置到导电膜镀膜机中镀制金属膜，金属膜材料为铬和银合金，膜系结构为：基底(铬/银合金/铬)空气；i. 将N-甲基吡咯烷酮溶液水浴加热到60℃，再将镀膜后得到的样件放入N-甲基吡咯烷酮溶液中，恒温超声振荡20±5分钟；j.最后步骤i中得到的样件放置到导电膜镀膜机中镀制电极，镀制后得到成品。

2.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤a中需要定量准备的原材料包括正性光刻胶AZ9260、丙酮和丁内酯，正性光刻胶AZ9260、丙酮和丁内酯的质量份数分别为正性光刻胶AZ9260 0.8-1.2份、、丙酮9-11份、丁内酯0.08-0.13份。

3.根据权利要求2所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤b中利用丙酮和丁内酯对正性光刻胶AZ9260进行稀释的具体步骤包括：将准备好的正性光刻胶AZ9260、丙酮和丁内酯混合，然后用玻璃棒搅拌后，进行超声振荡使光刻胶、丙酮和丁内酯混合均匀，超声振荡的时间为5-10分钟。

4.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤c中喷涂用的设备为光刻胶溶液用SSC-150型喷胶机。

5.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤e中进行刻蚀时所用激光器参数：波长405nm，激光功率100mW。

6.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤h中镀制金属膜时的蒸镀方式：钨舟热蒸发，镀制参数：真空室真空度3.0x10^–3~5.0x10^–4Pa，真空室温度80~100℃，工转15转/分、抽真空保温时间40~50分钟，镀制结束冷却时间20~30分钟。

7.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤h中膜系结构的膜层厚度分别为：30±10nm、1300±200nm、100±10nm。

8.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤j中镀制电极时的蒸镀方式、镀制参数、电极材料和步骤h中镀制金属膜一样，膜系结构也相同。

9.根据权利要求8所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤j 中膜系结构的膜层厚度分别为: 30±10nm、1000±200nm、100±10nm。

10.根据权利要求1所述的内凹面限制空间的电磁屏蔽金属网栅制备方法，其特征在于：所述步骤h镀制金属膜和步骤j镀制电极之前，使用导电膜镀膜机离子源清洁样件表面，离子源能量为435±10 eV，离子源束流为77±10 mA。