[发明专利]一种电源电压检测电路及其应用

权利要求书

1.一种电源电压检测电路，其特征在于：由以下部分组成：

电源Vdd，所述电源Vdd的电压检测阈值和带隙电压一样，以呈现对温度变化不敏感；

主高带宽开环系统电路，所述主高带宽开环系统电路与所述电源Vdd连接；以及

电压比较器，所述电压比较器与所述主高带宽开环系统电路连接；所述电压比较器设有反相器；

其中，所述电源Vdd向所述主高带宽开环系统电路供电，电流从所述主高带宽开环系统电路流经所述电压比较器，经过所述电压比较器中的所述反相器，电源电压检测输出从所述反相器测量输出。

2.根据权利要求1所述的电源电压检测电路，其特征在于：所述主高带宽开环系统电路包括：

三极管Q1和三极管Q2；

电阻R1、第一电阻R2、第二电阻R2、第一电阻R3和第二电阻R3，所述第一电阻R2和所述第二电阻R2与所述第一电阻R3和第二电阻R3是对称相同的；

其中，所述第一电阻R2和所述第二电阻R2的一端均与所述电源Vdd连接；所述第一电阻R2一端与所述三极管Q1的集电极连接；所述第二电阻R2的另一端与所述三极管Q2的集电极连接；

其中，所述三极管Q1和三极管Q2的基极通过所述第一电阻R3接地；所述三极管Q1和三极管Q2的发射极接地。

3.根据权利要求2所述的电源电压检测电路，其特征在于：所述三极管Q2的发射极通过所述电阻R1接地；所述第一电阻R2与所述三极管Q1之间节点电压为V1；所述节点电压V1通过所述第一电阻R3接地；所述第二电阻R2与所述三极管Q2之间节点电压为V2；所述节点电压V2远离所述第二电阻R2的一端经过所述第二电阻R3接地。

4.根据权利要求3所述的电源电压检测电路，其特征在于：所述电压比较器由三极管Q3和三极管Q4以及PMOS管M1和PMOS管M2组成；所述PMOS管M1和PMOS管M2的S极与所述电源Vdd连接；所述PMOS管M1的D极与三极管Q3的集电极连通，所述PMOS管M2的D极与三极管Q4的集电极连通；所述PMOS管M1和PMOS管M2的G极连通并连接所述三极管Q3的集电极连通；所述PMOS管M2的D极与反相器连通。

5.根据权利要求4所述的源电压检测电路，其特征在于：所述三极管Q3和三极管Q4的发射极接地。

6.根据权利要求5所述的电源电压检测电路，其特征在于：还包括第一控制PMOS开关MP和第二控制PMOS开关MP与第一控制NMOS开关MN和第二控制NMOS开关MN及第一电阻∆R2和第二电阻∆R2以及第一电阻∆R3和第二电阻∆R3。

7.根据权利要求6所述的电源电压检测电路，其特征在于：所述第一电阻R2和所述第二电阻R2靠近所述电源Vdd的一端分别连接有所述第一电阻∆R2和第二电阻∆R2；所述第一电阻∆R2和第二电阻∆R2的两端分别并联有第一控制PMOS开关MP和第二控制PMOS开关MP；所述第一控制PMOS开关MP和第二控制PMOS开关MP的D极与所述电源Vdd连接；所述第一电阻R3和第二电阻R3远离所述电源Vdd的一端分别连接第一电阻∆R3和第二电阻∆R3。

8.根据权利要求7所述的电源电压检测电路，其特征在于：所述第一电阻∆R3和第二电阻∆R3的两端分别并联第一控制NMOS开关MN和第二控制NMOS开关MN。

9.一种如权利要求1-8中任一项所述的电源电压检测电路的应用，其特征在于：可用于模拟和混合信号芯片、超大规模的片上系统SoC、微控制器MCU、电源管理芯片中的上电复位POR、电源欠压闭锁UVLO和过压闭锁OVLO。