[发明专利]一种非氧化物Y3

权利要求书

1.一种非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将碳化硅和金属钇的混合物与金属盐按体积比1:2-8在玛瑙研磨钵中研磨，混合均匀，得到混合粉体；

S2、将混合粉体装入氧化铝坩锅中，盖上坩锅盖；

S3、对氧化铝坩锅进行抽真空惰性气氛烧结，烧结完成即得到非氧化物Y₃Si₂C₂。

2.如权利要求1所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，步骤S3中，抽真空惰性气氛烧结操作为，当炉体内真空度达到-0.1MPa时，向炉内通入氩气至0MPa，重复抽真空-通氩气操作，至炉内压力在1MPa左右时开始加热；在管式炉开始加热时，将炉内通入流动氩气，继续升温至1100℃，保温两小时，最后冷却。

3.如权利要求2所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，加热时，升温速率为5℃/min，冷却时，降温速率以5℃/min降至500℃，然后随炉冷却。

4.如权利要求1所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，步骤S3中，烧结完成的粉体要煮沸三十至六十分钟，并用去离子水清洗四次以上。

5.如权利要求1所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，步骤S1中，碳化硅和金属钇的摩尔质量比为2-5:1-4。

6.如权利要求1所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法，其特征在于，所述金属盐选自氯化钠、氯化钾、氯化锂、氯化钙中的至少一种。

7.一种非氧化物Y₃Si₂C₂作为陶瓷烧结助剂的应用，所述非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂是由权利要求1-6任一项所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法制备得到。

8.一种高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

T1、按重量份计，将氮化硅90-100份，非氧化物Y₃Si₂C₂烧结助剂0-10份；稀土氧化物0-10份，进行研磨，混合均匀，得到混合粉体；

T2、将混合粉体装入干压模具中，压实，得到胚体，将胚体放入氮化硼坩锅中；

T3、将氮化硼坩锅放置于炉腔内，炉体压力由0MPa升高到0.3-0.8MPa，固定石墨模具，进行抽真空气压烧结，烧结完成即得到高性能氮化硅陶瓷基板；

其中，所述非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂是由权利要求1-6任一项所述的非氧化物烧结助剂Y₃Si₂C₂的制备方法制备得到。

9.如权利要求8所述的高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法，其特征在于，步骤T3中，抽真空气压烧结操作为，当炉体内真空度达到100Pa时，向炉内通入氮气至1-3MPa，重复抽真空-通氮气操作，至炉内压力在0.01Pa以下时开始加热；在炉内温度低于800℃时，将炉内通满氮气，继续升温至1800-2000℃，最后冷却降压。

10.一种高性能氮化硅陶瓷基板，其特征在于，由权利要求8-9任一项所述的高性能氮化硅陶瓷基板的制备方法制备得到。