[发明专利]一种CuNi-Al-Mo蚀刻液

说明书

本发明公开一种CuNi‑Al‑Mo蚀刻液，包含：硝酸、硫酸、有机酸、硝酸盐化合物和助剂；其中，按重量百分比计，硝酸的含量为2wt％，硫酸的含量为12wt％，有机酸的含量为25wt％‑40wt％，硝酸盐化合物的含量为1.8wt％‑3.2wt％，助剂的含量为0.05wt％‑0.3wt％，其余为水。本发明可有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss，能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。

技术领域

本发明属于蚀刻液的技术领域，尤其涉及一种CuNi-Al-Mo蚀刻液。

背景技术

金属蚀刻是利用化学溶液的腐蚀作用将不需要的金属快速溶解除掉的过程。金属蚀刻必须采用高效稳定的蚀刻液才能实现高效稳定的蚀刻功能。现有技术中，关于蚀刻液的专利技术有很多，比如：CN201710192748.X、CN202010053813.2、CN202011552376.5、CN201611197242.X、CN201710913895.1等等。市面上现有的铜蚀刻液一般都是过氧化氢(含氟)系列，对铜钼等金属材料制成的TFT-LCD，蚀刻速率良好，但是，也有自身的一定缺陷，例如过氧化氢蚀刻液寿命短，而且，添加含氟化合物对环境有一定的危害。而迄今为止，市面上尚未见专门适用于CuNi-Al-Mo膜层结构的蚀刻液。若将磷酸系、双氧水系蚀刻液运用于CuNi-Al-Mo膜层结构的蚀刻，会破坏膜层结构中的CuNi金属层，从而使得Al层裸露，影响到产品的品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种稳定高效的CuNi-Al-Mo蚀刻液，有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss，能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。

为了实现上述的目的，本发明采用如下的技术方案：

一种CuNi-Al-Mo蚀刻液，包含：硝酸、硫酸、有机酸、硝酸盐化合物和助剂；其中，按重量百分比计，硝酸的含量为2wt％，硫酸的含量为12wt％，有机酸的含量为25wt％-40wt％，硝酸盐化合物的含量为1.8wt％-3.2wt％，助剂的含量为0.05wt％-0.3wt％，其余为水。

上述硝酸是氧化剂，其作用是把金属氧化成金属氧化物。

上述硫酸的作用是增强金属氧化物的溶解，一定程度上解决金属氧化物残留的问题。

上述有机酸为选自乙酸、柠檬酸、戊酸、丙二酸、乙醇酸、琥珀酸、丙酸、甲烷磺酸及它们的盐的一种或两种以上。添加有机酸的作用是，提供配位键，络合金属离子，形成络合物减少金属残留；稀释酸的浓度，调节蚀刻速率，抑制CuNi金属层的蚀刻速率，保护膜层结构中的CuNi金属层图案不被过蚀刻。

上述硝酸盐化合物为选自硝酸钾、硝酸钠、硝酸钙、硝酸铵、硝酸铝和硝酸镁的一种或两种以上。上述硝酸盐中，金属盐可以为本领域常用的各种可溶性金属盐类，优选情况下，所述金属盐选自钠盐、钾盐中的一种或多种；更优选为钠盐，例如可以采用硝酸钠。所述蚀刻液中，硝酸盐的含量为1.8-3.2wt％，更优选为1.5-2wt％。上述硝酸盐的主要作用是：能控制蚀刻速率和蚀刻角度。

上述助剂为选自氨基三亚甲基膦酸、2-羟基膦酰基乙酸、乙二胺四甲叉膦酸、苯并三氮唑钠、苯并三氮唑和葡萄糖酸钠的一种或两种以上。所述助剂的含量为0.05-0.3％，更优选为0.15-0.25％。助剂的作用：可以吸附在金属表面形成保护膜，保护CuNi金属层不被酸等有害介质腐蚀。

采用上述方案后，本发明通过特定的组分配合，以及加入一定比例硝酸盐和助剂，从而有效降低CuNi金属层的蚀刻速率及侧向蚀刻造成的CD Loss，能同时满足最上层的CuNi金属层图案不被过蚀刻。本发明的CuNi-Al-Mo蚀刻液稳定高效，CuNi-Al-Mo膜层结构中的CuNi金属层不被过蚀刻，有效控制蚀刻角度和CD Loss。

附图说明

图1是实施例8的蚀刻和剥离阻挡膜后，CuNi-Al-Mo的SEM结构示意图；