[发明专利]具备处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法在审
申请号: | 202111002195.X | 申请日: | 2021-08-30 |
公开(公告)号: | CN114628278A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 梁承太;金钟翰;河道炅 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具备 处理 供应 单元 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
基板支承单元,用于支承基板;以及
处理液供应单元,朝向所述基板供应处理液,
所述处理液供应单元包括:
喷嘴,向所述基板上供应所述处理液;
处理液供应部,包括用于向所述喷嘴供应所述处理液的供应管线;以及
冷却部,用于冷却所述处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述冷却部向所述供应管线外部供应冷却流体。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述冷却部包括提供为环绕所述供应管线的管状部件。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述管状部件包括内部空间,
所述冷却部向所述内部空间供应冷却流体。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
通过所述冷却部减小所述处理液的体积。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述冷却部根据所述处理液的种类来控制向所述内部空间供应的冷却流体的温度、供应流量、供应时间、热交换面积中的一个以上。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述喷嘴与惰性气体供应部连接,并向所述基板上喷出惰性气体。
8.一种基板处理设备,包括:
装载端口,被安装收纳有基板的载体;
索引腔室,在内部提供有从安装于所述装载端口的所述载体搬运所述基板的索引机械手;以及
工艺处理部,包括对所述基板执行液体处理工艺的液体处理装置,
所述液体处理装置包括:
基板支承单元,用于支承所述基板;以及
处理液供应单元,朝向所述基板供应处理液,
所述处理液供应单元包括:
喷嘴,向所述基板上供应所述处理液;
处理液供应部,包括用于向所述喷嘴供应所述处理液的供应管线;以及
冷却部,用于冷却所述处理液,
所述冷却部包括提供为环绕所述供应管线的管状部件。
9.根据权利要求8所述的基板处理设备,其特征在于,
所述冷却部向所述供应管线外部供应冷却流体。
10.根据权利要求8所述的基板处理设备,其特征在于,
所述管状部件包括内部空间,
所述冷却部向所述内部空间供应冷却流体。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其特征在于,
通过所述冷却部减小所述处理液的体积。
12.根据权利要求10或11所述的基板处理设备,其特征在于,
所述冷却部根据所述处理液的种类来控制向所述内部空间供应的冷却流体的温度、供应流量、供应时间、热交换面积中的一个以上。
13.根据权利要求8所述的基板处理设备,其特征在于,
所述喷嘴与惰性气体供应部连接,并向所述基板上喷出惰性气体。
14.一种基板处理方法,利用基板处理装置,所述基板处理装置包括向基板上喷出处理液或者惰性气体的喷嘴以及用于向所述喷嘴供应处理液的处理液供应管线,其中,
所述基板处理方法包括:
处理液供应步骤,向所述基板上喷出所述处理液;
倒吸步骤,中断供应所述处理液并倒吸残留在所述喷嘴内部中的所述处理液;以及
惰性气体供应步骤,向所述基板上供应所述惰性气体,
所述倒吸步骤和所述惰性气体供应步骤包括冷却所述处理液的冷却步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造