[发明专利]具备处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法

说明书

根据本发明的一实施例，可以提供处理液供应单元、具备处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法，处理液供应单元包括：喷嘴，向基板上供应处理液；处理液供应部，包括用于向所述喷嘴供应处理液的供应管线；以及冷却部，提供于所述供应管线外部而用于冷却所述供应管线。通过所述冷却部，能够减小所述处理液的体积并倒吸所述处理液。

技术领域

本发明涉及具备处理液供应单元的基板处理装置、具备其的基板处理设备以及利用其的基板处理方法。

背景技术

通常，半导体元件的制造工艺构成为以晶圆等基板作为对象重复执行薄膜蒸镀工艺、蚀刻工艺、清洗工艺、光刻工艺等各种单位工艺。其中，湿式清洗工艺、湿式蚀刻工艺、涂布工艺等一部分工艺具备用于向基板供应处理液的处理液供应单元。

处理液供应单元将与各处理工艺符合的处理液调节处理液的浓度以及温度后提供于基板。具备这样的处理液供应单元的基板处理装置可以具备被安装基板的旋转头以及向安装于旋转头的基板喷射处理液的喷嘴。喷嘴与储存有处理液的储罐通过供应管线连接，供应管线从储罐接收处理液并向喷嘴提供。在供应管线中可以设置对向喷嘴供应的处理液的量进行调节的调节阀以及将残留在喷嘴中的处理液通过倒吸(suck-back)来去除残留在喷嘴中的处理液的倒吸阀。当调节阀关闭(off)而切断向喷嘴供应的处理液时，倒吸阀倒吸残留在喷嘴中的处理液来防止残留在喷嘴中的处理液向外部流出。

但是，近来为了增加处理液的喷出量，喷嘴喷出口的口径变大，随之处理液滴落(drop)现象显著增加，当表面活性成分的处理液或粘度低的处理液(例如：包含液态的有机溶剂(IPA)、臭氧的溶液等)时，由于表面张力显著减少，即便倒吸，供应管线内的处理液在重力作用下流入喷嘴侧而容易泄漏到外部。尤其，当发生外部冲击时，发生在喷嘴的流路(path)中靠近喷出口处残留的处理液间歇性滴落的现象。

因此，非必要的处理液污染、损坏基板，若这样的过程重复，则结果上难以生产希望质量的基板。不仅如此，在使用多个喷嘴来清洗基板的情况下，当未希望的不同处理液发生滴落时，基板或旋转头被污染而可能发生清洗效率下降的问题。即，处理液的滴落最终引起基板的生产率变差这样的问题。不仅如此，不顺畅的倒吸可能导致发生泰勒锥(TaylorCone)现象、在喷嘴端部等形成空气层的现象等。

专利文献1：韩国公开专利公布第10-2010-0066499号(2010年06月17日)

发明内容

因此本发明提供具备将表面张力低的处理液也能够顺畅地倒吸的处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法。

另外，提供具备能够与处理液的种类无关地防止处理液滴落现象的处理液供应单元的基板处理装置以及基板处理方法。

所要解决的技术问题不限于此，通常的技术员可以从下面的记载清楚地理解未提及的其它技术问题。

根据本发明的实施例，可以提供一种基板处理装置，包括：基板支承单元，用于支承基板；以及处理液供应单元，朝向所述基板供应处理液，所述处理液供应单元包括：喷嘴，向所述基板上供应所述处理液；处理液供应部，包括用于向所述喷嘴供应所述处理液的供应管线；以及冷却部，用于冷却所述处理液。

可以是，所述冷却部向所述供应管线外部供应冷却流体。

可以是，所述冷却部包括提供为环绕所述供应管线的管状部件。

可以是，所述管状部件包括内部空间，所述冷却部向所述内部空间供应冷却流体。

可以是，通过所述冷却部减小所述处理液的体积。

可以是，所述冷却部根据所述处理液的种类来控制向所述内部空间供应的冷却流体的温度、供应流量、供应时间、热交换面积中的一个以上。

可以是，所述喷嘴与惰性气体供应部连接，并向所述基板上喷出惰性气体。