[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，其包括：

衬底；

源极线，其设置于所述衬底上面；

多个字线，其设置于所述源极线上面，所述字线沿与所述衬底的表面相交的第一方向彼此间隔开；

柱，其经设置以沿所述第一方向延伸，所述柱的底部部分到达所述源极线，且所述柱与所述字线之间的相交部分中的每一者充当存储器单元；及

第一触点部分，其设置于所述衬底上，所述第一触点部分连接于所述源极线与所述衬底之间，其中

所述第一触点部分的内部或其中包含于所述源极线中的导电层与所述第一触点部分接触的部分包含充当二极管的部分，充当所述二极管的所述部分沿从所述源极线朝向所述衬底的反向方向被电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一触点部分包含所述衬底上的第一半导体层及所述第一半导体层上的第二半导体层，

所述第一半导体层含有P型杂质，

所述第二半导体层含有N型杂质，且

一组所述第一半导体层及所述第二半导体层充当所述二极管。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

所述第一半导体层是外延层。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

所述第一半导体层是多晶硅层。

5.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

所述第一半导体层的P型杂质浓度在1014(原子/立方厘米)到1016(原子/立方厘米)的范围内，且

所述第二半导体层的N型杂质浓度是1020(原子/立方厘米)或更大。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

所述第一触点部分包含：

所述衬底上的第一触点，所述二极管包含于所述第一触点的内部中；

所述第一触点上的第一布线线路；及

所述第一布线线路上面的第二触点，所述第二触点电连接于所述第一布线线路与所述源极线之间。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中

所述源极线与所述衬底经由所述第一触点中的一或多者及所述第二触点中的一或多者电连接，且

所述第一触点的数目与所述第二触点的数目是不同的，所述第一触点及所述第二触点用于连接所述源极线与所述衬底。

8.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中

所述第一触点部分进一步包含所述第二半导体层上的导电部件，所述导电部件的侧表面与所述源极线接触。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中

包含于所述源极线中的所述导电层包含一组含有P型杂质的半导体层及含有N型杂质的半导体层作为充当所述二极管的所述部分，含有所述P型杂质的所述半导体层与所述第一触点部分接触。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，其中

所述第一触点部分包含：

所述衬底上的第一触点；

所述第一触点上的第一布线线路；及

所述第一布线线路上面的第二触点，所述第二触点电连接于所述第一布线线路与所述源极线之间，且

所述第二触点的侧表面与含有所述P型杂质的所述半导体层接触。