[发明专利]半导体存储器装置

说明书

根据一实施例，一种半导体存储器装置包含衬底、源极线、多个字线、柱及第一触点部分。所述字线沿第一方向彼此间隔开。所述柱的底部部分到达所述源极线。所述第一触点部分设置于所述衬底上。所述第一触点部分连接于所述源极线与所述衬底之间。所述第一触点部分的内部或其中包含于所述源极线中的导电层与所述第一触点部分接触的部分包含充当二极管的部分。充当所述二极管的所述部分沿从所述源极线朝向所述衬底的反向方向被电连接。

相关申请案的交叉参考

本申请案基于并主张2021年3月8日提出申请的第2021-36304号日本专利申请案的优先权权益，所述日本专利申请案的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本文中所描述的实施例一般来说涉及一种半导体存储器装置。

背景技术

存在能够以非易失性方式存储数据的已知NAND型快闪存储器。

发明内容

一般来说，根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含衬底、源极线、多个字线、柱及第一触点部分。所述源极线设置于所述衬底上面。所述字线设置于所述源极线上面。所述字线沿与所述衬底的表面相交的第一方向彼此间隔开。所述柱经设置以沿所述第一方向延伸。所述柱的底部部分到达所述源极线。所述柱与所述字线之间的相交部分中的每一者充当存储器单元。所述第一触点部分设置于所述衬底上。所述第一触点部分连接于所述源极线与所述衬底之间。所述第一触点部分的内部或其中包含于所述源极线中的导电层与所述第一触点部分接触的部分包含充当二极管的部分。充当所述二极管的所述部分沿从所述源极线朝向所述衬底的反向方向被电连接。

根据所述实施例的所述半导体存储器装置，可提高所述半导体存储器装置的合格率。

附图说明

图1是图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的总体配置的实例的框图；

图2是图解说明包含于根据第一实施例的半导体存储器装置中的存储器单元阵列的电路配置的实例的电路图；

图3是图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的平面布局的实例的平面图；

图4是图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的核心区域中的平面布局的实例的平面图；

图5是图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的存储器区域中的平面布局的实例的平面图；

图6是沿着图5的线VI-VI截取的横截面图，图6图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的存储器区域中的横截面结构的实例；

图7是沿着图6的线VII-VII截取的横截面图，图7图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置中的存储器柱的横截面结构的实例；

图8是图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的联结(hookup)区域及触点区域中的平面布局的实例的平面图；

图9是沿着图8的线IX-IX截取的横截面图，图9图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的联结区域及触点区域中的横截面结构的实例；

图10是图解说明包含根据第一实施例的半导体存储器装置的源极线的布线层中的平面布局的实例的平面图；

图11是沿着图10的线XI-XI截取的横截面图，图11图解说明根据第一实施例的半导体存储器装置的存储器区域、触点区域及壁区域中的横截面结构的实例；

图12是图解说明包含根据第一实施例的半导体存储器装置的放电路径触点部分及触点部分的横截面结构的实例的横截面图；

图13是图解说明用于制造根据第一实施例的半导体存储器装置的方法的实例的流程图；