[发明专利]开关电路及存储装置

权利要求书

1.一种开关电路，具备：

第1电路，包含第1电容器、串联连接于所述第1电容器的第1电阻、及设置于所述第1电容器及所述第1电阻的上方且并联连接于所述第1电容器的第1选择器；及

第2电路，包含第2电容器、串联连接于所述第2电容器的第2电阻、及设置于所述第2电容器及所述第2电阻的上方且并联连接于所述第2电容器的第2选择器，经由所述第2电阻连接于所述第1电路；且

所述第1及第2电容器具有：

第1及第2下部电极，设置于半导体衬底；

介电层，设置于所述第1及第2下部电极之上；

电阻层，设置于所述介电层之上，与所述介电层一起构成所述第1及第2电阻；

第1上部电极，与所述第1下部电极对向地设置于所述电阻层之上，与所述第1下部电极一起构成所述第1电容器；及

第2上部电极，与所述第2下部电极对向地设置于所述电阻层之上，与所述第2下部电极一起构成所述第2电容器。

2.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述第1及第2选择器的每一个具有：

第1电极；

第2电极；及

开关层，设置于所述第1及第2电极之间，含有选自由硫、硒及碲所组成的族群中的至少一种硫族元素。

3.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述电阻层包含多晶硅。

4.根据权利要求1所述的开关电路，其中所述介电层包含选自由氧化铪、硅酸铪、硅酸锆、氧化锆、钛酸锶、及钛酸钡锶所组成的族群中的至少一种材料。

5.一种存储装置，具备：

存储单元；

字线，连接于所述存储单元；

位线，连接于所述存储单元；及

神经元电路，连接于所述字线或所述位线，且包含权利要求1至4中任一权利要求所述的开关电路。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中所述存储单元具有电阻变化存储器、相变存储器、磁阻存储器、或自旋注入磁化反转型磁存储器的存储层。