[发明专利]开关电路及存储装置

说明书

本发明涉及一种开关电路及存储装置。本发明的实施方式提供一种能模拟神经元动作的开关电路。实施方式的开关电路具备：第1电路，包含第1电容器、串联连接于第1电容器的第1电阻、及设置于第1电容器及第1电阻的上方且并联连接于第1电容器的第1选择器；及第2电路，包含第2电容器、串联连接于第2电容器的第2电阻、及设置于第2电容器及第2电阻的上方且并联连接于第2电容器的第2选择器。第1及第2电容器具有：第1及第2下部电极；介电层，设置于第1及第2下部电极之上；电阻层，设置于介电层之上；第1上部电极，与第1下部电极对向地设置于电阻层之上；及第2上部电极，与第2下部电极对向地设置于电阻层之上。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-152882号(申请日：2020年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参考所述基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种开关电路及存储装置。

背景技术

近年，使用神经元电路的神经网络技术的开发取得进展。

发明内容

本发明所要解决的问题之一在于提供一种能模拟神经元动作的开关电路。

实施方式的开关电路具备：第1电路，包含第1电容器、串联连接于第1电容器的第1电阻、及设置于第1电容器及第1电阻的上方且并联连接于第1电容器的第1选择器；及第2电路，包含第2电容器、串联连接于第2电容器的第2电阻、及设置于第2电容器及第2电阻的上方且并联连接于第2电容器的第2选择器，经由第2电阻连接于第1电路。

第1及第2电容器具有：第1及第2下部电极，设置于半导体衬底；介电层，设置于第1及第2下部电极之上；电阻层，设置于介电层之上，与介电层一起构成第1及第2电阻；第1上部电极，与第1下部电极对向地设置于电阻层之上，与第1下部电极一起构成第1电容器；及第2上部电极，与第2下部电极对向地设置于电阻层之上，与第2下部电极一起构成第2电容器。

附图说明

图1是用以说明开关电路的电路构成例的电路图。

图2是用以说明开关电路的结构例的俯视图。

图3是用以说明开关电路的结构例的剖视图。

图4是用以说明开关电路的结构例的剖视图。

图5是用以说明使用神经元电路的存储装置的构成例的示意图。

具体实施方式

以下，参考附图对实施方式进行说明。附图所记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比例等有与实物不同的情况。此外，在实施方式中，对实质上相同的构成要素附注相同的符号并适当省略说明。

本说明书中，“连接”不仅包含物理连接，也包含电连接。

(第1实施方式)

以下对开关电路的电路构成例进行说明。图1是用以说明开关电路的电路构成例的电路图。开关电路具备：第1电路SC1，包含第1电容器C1、第1电阻R1、及第1选择器S1；及第2电路SC2，包含第2电容器C2、第2电阻R2、及第2选择器S2。

第1电阻R1的一端子连接于例如用以接收输入信号IN的信号线。

第1电容器C1串联连接于第1电阻R1。第1电容器C1的上部电极连接于第1电阻R1的另一端子。第1电容器C1的下部电极连接于例如用以供给接地电位GND的布线。

第1选择器S1并联连接于第1电容器C1。第1选择器S1的第1电极连接于第1电阻R1的另一端子。第1选择器S1的第2电极连接于用以供给第1电压V1的电源。第1电压V1为例如正电压。