[发明专利]发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括底电极、发光层和顶电极，其特征在于，所述发光层包括第一量子点层、第二量子点层与中间层；其中，

所述中间层位于所述第一量子点层与所述第二量子点层之间，所述中间层为P型半导体。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点层和所述第二量子点层中的至少一层包括具有P型半导体壳层组分的核壳结构量子点，所述中间层选自所述核壳结构量子点壳层组分中的P型半导体。

3.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一量子点层包括第一核壳结构量子点，所述第二量子点层包括第二核壳结构量子点；其中，

所述第一核壳结构量子点的壳层组分为第一P型半导体，所述第二核壳结构量子点的壳层组分为第二P型半导体，所述第一P型半导体的带隙大于或等于所述第二P型半导体；

所述中间层为第一P型半导体。

4.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一核壳结构量子点选自CdS/ZnS、PbS/ZnS、PbSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS、CdS/ZnCdSe、ZnCdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的至少一种，所述第二核壳结构量子点选自CdS/ZnS、PbS/ZnS、PbSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS、CdS/ZnCdSe、ZnCdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的至少一种。

5.如权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一核壳结构量子点为ZnCdSeS/ZnS，所述第二核壳结构量子点为ZnCdS/ZnS，所述中间层为ZnS。

6.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述中间层的厚度为5nm-20nm。

7.一种发光器件的制备方法，所述发光器件包括底电极、发光层、顶电极，其特征在于，所述发光层包括第一量子点层、第二量子点层与中间层，所述中间层位于所述第一量子点层与所述第二量子点层之间，所述中间层为P型半导体，所述发光器件的制备方法包括：

在预设基板上沉积所述底电极，得到第一中间器件；

基于所述第一中间器件沉积所述发光层，得到第二中间器件；

基于所述第二中间器件沉积所述顶电极，得到发光器件。

8.如权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件的制备方法还包括：在预设基板上沉积所述底电极，得到第一中间器件的步骤之后，在所述第一中间器件上制备空穴注入层与空穴传输层；

和/或，所述基于所述第二中间器件沉积所述顶电极，得到发光器件的步骤之前，在所述第二中间器件上制备电子传输层。

9.如权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件的制备方法还包括：在预设基板上沉积所述底电极，得到第一中间器件的步骤之后，在所述第一中间器件上制备电子传输层；

和/或，所述基于所述第二中间器件沉积所述顶电极，得到发光器件的步骤之前，在所述第二中间器件上制备空穴注入层和空穴传输层。

10.如权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光器件的制备方法还包括：所述基于所述第二中间器件沉积所述顶电极，得到发光器件的步骤之前，在所述第二中间器件上依次沉积第二中间层和第三量子点层，所述第二中间层为P型半导体，所述第一量子点层、所述第二量子点层和所述第三量子点层发射的光线混合以形成白光。

11.如权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述底电极为氧化铟锡、氧化铟锌、金、铂、硅中的一种，和/或，所述顶电极为银、铝、锂、镁、钙、铟中的一种或多种。