[发明专利]发光器件及其制备方法

说明书

本申请公开了一种发光器件及其制备方法，所述发光器件包括底电极、发光层和顶电极，所述发光层包括第一量子点层、第二量子点层与中间层；其中，所述中间层位于所述第一量子点层与所述第二量子点层之间，所述中间层为P型半导体。本申请通过在发光器件中发光层的第一量子点层与第二量子点层之间增加一层中间层，由于为P型半导体的中间层增大了两量子点层之间的距离，而两量子点层之间的能量转移效率与彼此之间的距离成反比，因此避免了两量子点层之间的能量转移，提高发光器件发出的白光光色的稳定性，提升发光器件的可用性。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法。

背景技术

量子点(quantum dots)是一种零维纳米材料，通常为粒径介于2nm～20nm之间的半导体纳米颗粒，因此又可称为半导体纳米晶体，严格上定义为半径小于或接近于激子玻尔半径的纳米晶体。量子点具有窄发射光谱、发射波长可通过控制粒径尺寸进行调节，光稳定性较好等独特的光学性质，早已引起广大科学研究者的广泛兴趣和极大关注；特别是在显示领域，量子点电致发光器件——量子点发光二极管显示器具有色域高、自发光、反应速度快等优点，一度成为近几年的研究热点；并且被认为是继OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示之后的新一代显示器。

一般在白光QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)器件结构中，通常获得白光的方法主要是通过三基色混合来制备，因此白光发光二极管的器件结构一般有两种，一是通过红绿蓝三色发光材料掺杂比例的不同在同一发光层中获得白光，二是采用RGB(红、绿、蓝)三基色的堆叠，也就是说在同一器件中有红绿蓝三个颜色的发光层。但是上述白光发光二极管由于不同颜色量子点层之间容易发生量子点的能量转移，降低了发光器件发出的白光光色的稳定性，使得当前发光器件的可用性不足。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种发光器件及其制备方法，旨在解决当前发光器件光色不稳定的技术问题。

为实现上述目的，本申请实施例提供一种发光器件，所述发光器件包括底电极、发光层和顶电极，所述发光层包括第一量子点层、第二量子点层与中间层；其中，

所述中间层位于所述第一量子点层与所述第二量子点层之间，所述中间层为P型半导体。

可选地，所述第一量子点层和所述第二量子点层中的至少一层包括具有P型半导体壳层组分的核壳结构量子点，所述中间层选自所述核壳结构量子点壳层组分中的P型半导体。

可选地，所述第一量子点层包括第一核壳结构量子点，所述第二量子点层包括第二核壳结构量子点；其中，

所述第一核壳结构量子点的壳层组分为第一P型半导体，所述第二核壳结构量子点的壳层组分为第二P型半导体，所述第一P型半导体的带隙大于或等于所述第二P型半导体；

所述中间层为第一P型半导体。

可选地，所述第一核壳结构量子点选自CdS/ZnS、PbS/ZnS、PbSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS、CdS/ZnCdSe、ZnCdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的至少一种，所述第二核壳结构量子点选自CdS/ZnS、PbS/ZnS、PbSe/ZnS、ZnCdS/ZnS、ZnSe/ZnS、CdS/ZnCdSe、ZnCdSeS/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnCdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS中的至少一种。

可选地，所述第一核壳结构量子点为ZnCdSeS/ZnS，所述第二核壳结构量子点为ZnCdS/ZnS，所述中间层为ZnS。

可选地，所述中间层的厚度为5nm-20nm。