[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括阻挡区和图形区，所述基底包括用于形成目标图形的目标层，所述图形区的目标层上形成有核心层，所述核心层中形成有贯穿所述核心层的沟槽；

在所述沟槽的侧壁形成侧墙层；

形成所述侧墙层之后，在所述阻挡区的所述沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述侧墙层的相对侧壁，所述阻挡层在所述沟槽的延伸方向上分割相对应的所述沟槽；

形成所述阻挡层后，去除所述图形区的所述核心层，露出所述目标层的待刻蚀区域；

去除所述核心层之后，以所述侧墙层和阻挡层为掩膜刻蚀所述目标层，在所述目标层中形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述阻挡区的所述沟槽中形成阻挡层的步骤包括：在所述基底的顶部形成填充层，所述填充层覆盖所述核心层和侧墙层的顶部，并填充于所述沟槽中；去除所述阻挡区的所述填充层，在所述填充层中形成开口，沿所述核心层的延伸方向，所述开口露出所述阻挡区的所述沟槽底部，且在与所述核心层延伸方向相垂直的方向上，所述开口露出所述侧墙层的相对侧壁；在所述开口露出的所述沟槽中形成阻挡层；

形成所述阻挡层之后，在去除所述图形区的所述核心层之前，还包括：去除剩余的所述填充层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述开口露出的所述沟槽中形成阻挡层的步骤包括：采用选择性沉积工艺，在所述开口露出的所述侧墙层侧壁形成阻挡层，且所述侧墙层的相对侧壁的阻挡层相接触。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以与所述核心层延伸方向相垂直的方向为横向，在所述填充层中形成开口的步骤中，所述开口还沿所述横向向两侧延伸，并露出与所述阻挡区相邻的所述核心层的部分顶部；

所述阻挡层还形成于所述开口露出的所述侧墙层的顶部。

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述阻挡区的所述填充层的步骤包括：在所述填充层的顶部形成具有第一掩膜开口的第一掩膜层，所述第一掩膜开口位于所述阻挡区上方；以所述第一掩膜层掩膜，刻蚀去除所述阻挡区的所述填充层；去除所述第一掩膜层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的侧壁形成侧墙层的步骤包括：在所述沟槽的底部和侧壁、以及所述核心层的顶部形成侧墙材料层；去除所述核心层顶部和沟槽底部的所述侧墙材料层，保留位于所述沟槽侧壁的剩余所述侧墙材料层作为所述侧墙层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述沟槽的侧壁形成侧墙层的步骤包括：形成围绕所述核心层的侧墙组，所述侧墙组包括位于所述沟槽侧壁且与所述核心层延伸方向相同的侧墙层、以及连接所述侧墙层的侧墙连接部；

去除所述核心层之后，在所述目标层中形成目标图形之前，还包括：去除所述侧墙连接部。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述图形区的所述核心层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除剩余的所述填充层的步骤中，所述填充层与所述阻挡层的刻蚀选择比大于10：1。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述核心层的材料包括A-C、SOC、和SOH中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料包括SiN和SiON中的一种或多种。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述填充层的材料包括A-C、SOC、和SOH中的一种或多种。