[发明专利]CMOS毫米波高速时钟缓冲电路在审

专利信息
申请号: 202111013463.8 申请日: 2021-08-31
公开(公告)号: CN113904675A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 杨波 申请(专利权)人: 广州昌钰行信息科技有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 代理人: 陈荣立
地址: 510700 广东省广州市高新技术产业开发区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: cmos 毫米波 高速 时钟 缓冲 电路
【权利要求书】:

1.一种CMOS毫米波高速时钟缓冲电路,其特征在于,包括带有中心抽头的差分电感、主从稳压器和NMOS差分核心,所述NMOS差分核心包括第一NMOS核心管和第二NMOS核心管,所述差分电感的一端与所述第一NMOS核心管的漏极连接,所述差分电感的另一端与所述第二NMOS核心管的漏极连接,所述差分电感的中心抽头与所述主从稳压器连接。

2.根据权利要求1所述的CMOS毫米波高速时钟缓冲电路,其特征在于,还包括第一负载电容和第二负载电容,所述第一负载电容与所述差分电感的一端连接,所述第二负载电容与所述差分电感的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的CMOS毫米波高速时钟缓冲电路,其特征在于,还包括第一偏置电阻和第二偏置电阻,所述第一偏置电阻的一端与所述第一NMOS核心管的栅极连接,所述第二偏置电阻的一端与所述第二MOS管的栅极连接,所述第一偏置电阻的另一端与所述第二偏置电阻的另一端连接。

4.根据权利要求3所述的CMOS毫米波高速时钟缓冲电路,其特征在于,还包括第一耦合电容和第二耦合电容,所述第一耦合电容的一端与所述第一NMOS核心管的栅极连接,所述第一耦合电容的另一端输入时钟的交流信号,所述第二耦合电容的一端与所述第二NMOS核心管的栅极连接,所述第二耦合电容的另一端输入时钟信号的交流信号。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的CMOS毫米波高速时钟缓冲电路,其特征在于,所述主从稳压器包括第一镜像NMOS管、第二镜像NMOS管、第一反馈电阻、第一反馈电容、电流源和运算放大器,所述差分电感的中心抽头分别与所述第一偏置电阻的另一端和第一镜像NMOS管的源极连接,所述第一镜像NMOS管的栅极分别与所述第一反馈电阻的一端和第一反馈电容的一端连接,所述第一反馈电阻的另一端通过所述第二镜像NMOS管与所述运算放大器的输出端连接,所述第二镜像NMOS管的源极分别与所述电流源的一端和运算放大器的一个输入端连接。

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