[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；

对准标记，位于所述半导体层上方；

介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重复结构单元的材料为第一金属材料，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层，所述对准标记位于所述介质层中。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层；所述半导体结构还包括：隔离层，覆盖所述介质层和所述顶层互连层，所述对准标记位于所述隔离层中，在沿垂直于所述半导体层顶面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述对准标记包括若干个主体部，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元环绕所述主体部的外周分布。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述对准标记包括多个相互分离的所述主体部，且多个所述主体部呈风车状或者八角状排布。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，每个所述主体部内具有呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元与所述第一重复结构单元对第二波长光线的吸收率不同。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二重复结构单元的材料为第二金属材料，所述第二金属材料在所述第二波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第二波长光线下的吸收率差。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二重复结构单元的形状与所述第一重复结构单元的形状相同。

11.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二重复结构单元的尺寸与所述第一重复结构单元的尺寸不同。

12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上包括半导体层；

形成位于所述半导体层上方的对准标记、顶层互连层和介质层，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述半导体层上方的对准标记、顶层互连层和介质层的具体步骤包括：

形成覆盖所述半导体层顶面的介质层；

于所述介质层中形成所述对准标记、所述顶层互连层以及环绕所述对准标记外周分布的多个第一开口；

填充第一金属材料至所述第一开口内，形成呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。