[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；对准标记，位于所述半导体层上方；介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。本发明能够提高对对准标记识别的准确度与清晰度，有助于提高半导体产品的良率，改善半导体产品的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

晶圆键合是半导体制造过程中的一个重要步骤。但是，当前的晶圆键合工艺中，由于键合对准标记本身的缺陷，导致键合过程中不能准确的识别对准标记，从而易出现对准偏差甚至是错位，影响晶圆键合质量。

因此，如何提高对准标记识别的准确度，从而提高半导体产品的良率，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，用于解决现有技术中对准标记识别准确度低的问题，以改善半导体产品的良率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构，包括：

衬底，所述衬底上包括半导体层、以及位于所述半导体层顶面的顶层互连层；

对准标记，位于所述半导体层上方；

介质层，位于所述半导体层上方，所述介质层中包括环绕所述对准标记的外周分布、且呈周期性排布的多个第一重复结构单元，所述第一重复结构单元用于增大所述对准标记与所述介质层之间的对比度。

可选的，所述第一重复结构单元的材料为第一金属材料，所述第一金属材料在第一波长光线照射下能够发生金属偶极谐振，以增大所述对准标记与所述介质层在所述第一波长光线下的吸收率差。

可选的，所述第一重复结构单元的形状为圆形、椭圆形或者任意多边形。

可选的，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层，所述对准标记位于所述介质层中。

可选的，所述介质层位于所述半导体层的顶面，所述顶层互连层贯穿所述介质层；所述半导体结构还包括：

隔离层，覆盖所述介质层和所述顶层互连层，所述对准标记位于所述隔离层中，在沿垂直于所述半导体层顶面的方向上，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元的投影环绕所述对准标记的投影的外周分布。

可选的，所述对准标记包括若干个主体部，呈周期性排布的多个所述第一重复结构单元环绕所述主体部的外周分布。

可选的，所述对准标记包括多个相互分离的所述主体部，且多个所述主体部呈风车状或者八角状排布。

可选的，每个所述主体部内具有呈周期性排布的多个第二重复结构单元，所述第二重复结构单元与所述第一重复结构单元对第二波长光线的吸收率不同。