[发明专利]一种半导体测试结构和方法在审
| 申请号： | 202111015499.X | 申请日： | 2021-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN113782517A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 徐雯;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 测试 结构 方法 | ||
1.一种半导体测试结构，所述测试结构位于晶圆切割道内，其特征在于，所述测试结构包括：
沿切割道延伸方向依次排布的多个测试子结构和N个控制焊盘，N≥2；
每个所述测试子结构包括一测试焊盘、N个待测结构和N个选择开关；其中，每个所述待测结构均通过一选择开关与所述测试焊盘电连接；
针对每个所述测试子结构，N个选择开关分别与N个控制焊盘电连接，所述控制焊盘用于控制其电连接的选择开关的开关状态。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述选择开关包括eFuse熔断器、PN结或晶体管。
3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，同一控制焊盘电连接的选择开关的断开电压相同。
4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，不同控制焊盘电连接的选择开关的断开电压不同。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，N个控制焊盘位于晶圆的同一层。
6.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述控制焊盘的尺寸小于所述测试焊盘的尺寸。
7.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述选择开关的尺寸小于所述控制焊盘的尺寸。
8.一种半导体测试方法，应用于如权利要求1或7任一所述的半导体测试结构，其特征在于，所述方法包括：
针对每个所述测试子结构：确定目标待测结构；通过控制焊盘将除所述目标待测结构以外的N-1个待测结构电连接的选择开关断开，并将所述目标待测结构电连接的选择开关闭合；通过测试焊盘对所述目标待测结构进行测试。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通过控制焊盘将除所述目标待测结构以外的N-1个待测结构电连接的选择开关断开，包括：
确定除所述目标待测结构以外的N-1个待测结构电连接的选择开关的断开电压；
对所述控制焊盘施加所述断开电压，以使除所述目标待测结构以外的N-1个待测结构电连接的选择开关断开。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多个测试子结构中的所述目标待测结构电连接的选择开关均与同一所述控制焊盘电连接。
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