[发明专利]一种晶圆片激光打标方法

说明书

本发明公开一种晶圆片激光打标方法，其包括如下步骤：S100、将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台，完成装片；S200、识别晶圆片的多个特征点；S300、沿晶圆片的切割道将晶圆片划分多个打标区域，每个打标区域包含至少一个特征点；S400、对晶圆片检测定位，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点相对激光束的位置偏差值；根据特征点的位置偏差值，对包含该特征点且未打标的打标区域进行位置调整；S500、获取晶圆片的mapping图，并根据mapping图对该打标区域进行激光打标；S600、返回步骤S400，获取另一个打标区域的特征点，直至所有打标区域完成打标。采用特征点定位和分区打标的方式，实现对晶圆片的全部芯片打标，克服整片定位打标方式存在的打标精度较低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆片激光打标方法。

背景技术

传统的半导体的芯片封装方式主要经过Die bond（贴芯片）、Wire bond（焊线）、塑封、切割、测试、打印标记（简称：打标）等工序，这种传统的芯片封装方式比较繁琐，每个工序涉及的设备比较多，成本比较高，且封装后产品体积至少比原芯片大20%以上。

随着整个半导体工艺水平的发展，晶圆片级芯片规模封装（Wafer Level ChipScale Packaging，简称：WLCSP) 应运而生，WLCSP的封装方式不仅明显地缩小内存模块尺寸，而符合行动装置对于机体空间的高密度需求；另一方面在效能的表现上，更提升了数据传输的速度与稳定性。

不同于传统的芯片封装方式，WLCSP的封装方式是先在整片晶圆片上进行封装和测试，再对整片晶圆片进行切割；由于在晶圆片制造阶段，基于衬底并在其上形成了阵列排布的芯片，这些芯片之间的间隙为切割道，沿着切割道切割成一个个的IC颗粒（或IC芯片），最后对整个晶圆片进行定位打印标记（也即定位打标），因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。这种封装技术不需要Die Bond、Wire Bond、塑封，成本上相对传统的方式有较大的优势。

目前，应用于晶圆片打标工序的激光打标机，包括晶圆片传送盒、自动取放机械手、打标平台、vision定位检测组件和激光机，其中，晶圆片传送盒内存放有多个晶圆片，自动取放机械手将晶圆片传送盒内的晶圆片取出，并放置于打标平台上，完成装片工作；打标平台具有位置调整功能，能够沿X/Y方向直线移动，并且能够绕Z方向旋转，从而调节晶圆片的位置和角度；vision定位检测组件包括均带摄像头的标前检测装置和标后检测装置，标前检测装置位于打标平台的上方，摄像头向下对准晶圆片的正面，进行位置偏差检测，为晶圆片的背面打标提供准确位置，标后检测装置位于打标平台的下方，摄像头向上对准晶圆片的背面，进行打标质量检测。激光打标机获取mapping图，并根据mapping图上的测试结果，控制激光机进行晶圆片打标。

然而，目前这种封装技术最大的瓶颈就是晶圆片普遍采用整片定位打印标记的方式，其打标精度不太理想。

发明内容

本发明目的在于提供一种晶圆片激光打标方法，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。

为解决上述技术问题所采用的技术方案：

本发明提供一种晶圆片激光打标方法，包括如下步骤：S100、将粘固在膜上的晶圆片置于可运动的打标平台上，完成装片；S200、识别晶圆片上的多个特征点；S300、沿着晶圆片上的切割道将晶圆片划分出多个打标区域，每个打标区域包含至少一个所述的特征点；S400、对晶圆片检测定位，从而获取其中一个打标区域中的每个特征点相对激光束的位置偏差值；根据特征点的位置偏差值，对包含该特征点且未打标的打标区域进行位置调整；S500、获取晶圆片的mapping图，并根据mapping图对该打标区域进行激光打标；S600、返回步骤S400，获取另外一个打标区域的特征点，直至所有打标区域完成打标工作。