[发明专利]一种静电放电保护电路、IO电路及芯片在审
| 申请号： | 202111022600.4 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113725839A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张金弟;安旭阳;蔡占成 | 申请（专利权）人： | 上海芯圣电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 杨俊华 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 电路 io 芯片 | ||
1.一种静电放电保护电路，其特征在于，包括：
第一晶体管，源极连接到第一电位，漏极连接第二晶体管的源极；
所述第二晶体管，漏极连接到第二电位，所述第二电位高于所述第一电位；所述第二晶体管的栅极连接VSS；
所述第二晶体管的漏极宽于所述第一晶体管的源极。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一晶体管和第二晶体管均采用NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第二晶体管的漏极连接芯片的IO口，所述静电放电保护电路用于保护所述IO的静电放电。
4.根据权利要求3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述静电放电保护电路采用cascode结构。
5.根据权利要求3所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述芯片的电源口还连接一个NMOS晶体管，所述NMOS晶体管的栅极接地。
6.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管的安全工作电压小于所述第二电位与所述第一电位的电压差。
7.根据权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于，在所述第二晶体管关断的情况下，所述第二电位与所述第二晶体管的栅极电压之差不大于所述第二晶体管的安全工作电压。
8.一种IO电路，其特征在于，所述IO电路包括上述权利要求1-7任一所述的静电放电保护电路。
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括上述权利要求1-7任一所述的静电放电保护电路。
10.根据权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述芯片为微控制单元MCU芯片。
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