[发明专利]一种MOSFET器件及制备方法

权利要求书

1.一种MOSFET器件，其特征在于，包括：有源区沟槽，MOSFET区域、ESD区域、Rg区域、第一导电类型漂移层、第一层第二导电类型体区、第二次第二导电类型体区、第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；

所述第一导电类型漂移层上设置所述有源区沟槽，所述有源区沟槽之间与所述有源区沟槽的一侧设置所述第二层第一导电类型源区，所述有源区沟槽位于所述MOSFET区域；

位于所述MOSFET区域的所述非掺杂多晶硅层上设置有第一层第二导电类型体区，所述第一导电类型漂移层内设置所述第二层第二导电类型体区；所述非掺杂多晶硅层设置在所述第一导电类型漂移层上方；

位于所述ESD区域内的所述非掺杂多晶硅层上设置第一层第二导电类型体区和第一层第一导电类型源区，且所述第一层第一导电类型源区位于第一层第二导电类型体区内；

位于Rg区域内的所述非掺杂多晶硅层上设置有第一层第二导电类型体区，所述第一导电类型漂移层内设置有第二层第二导电类型体区。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述位于所述MOSFET区域的第一层第二导电类型体区在垂直方向上的投影与第二层第二导电类型体区不重合；

所述有源区沟槽之间的第二层第一导电类型源区上设置有接触孔，通过所述接触孔与设置在第二隔离氧化层上的金属层相接触，形成源极区金属层。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述位于所述ESD区域内第一层第二导电类型体区在垂直方向上的投影与第二层第二导电类型体区不重合；

所述位于Rg区域内第一层第二导电类型体区在垂直方向上的投影与第二层第二导电类型体区不重合。

4.如权利要求3所述的器件，其特征在于，所述位于所述ESD区域内的所述第一层第一导电体类型体区上的两块不接触的所述第一层第一导电类型源区上分别设置两个接触孔；位于所述Rg区域内所述第一层第一导电体类型体区上设置两个接触孔；

靠近所述MOSFET区域的所述ESD区域内的一个所述接触孔与设置在第二隔离氧化层上的金属层相接触，形成栅极多晶硅--Rg区连接金属层；

靠近所述Rg区域的所述ESD区域内的另一个所述接触孔与设置在第二隔离氧化层上的金属层相接触，靠近所述ESD区域内的所述Rg区域的一个所述接触孔与设置在第二隔离氧化层上的金属层相接触，形成Rg区--ESD区连接金属层；

位于所述Rg区域的另一个所述接触孔与设置在第二隔离氧化层上的金属层相接触，形成栅极区金属层。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括第一多晶硅层和栅氧化层；

所述有源区沟槽内和所述第一导电类型漂移层上设置所述栅氧化层；

所述有源区沟槽内设置所述第一多晶硅层，且位于所述有源区沟槽内的所述第一多晶硅层的上表面与位于有源区沟槽两侧的栅极氧化层的上表面具有相同的高度。

6.如权利要求5所述的器件，其特征在于，还包括氮氧化硅层、第一隔离氧化层和非掺杂多晶硅层；

所述氮氧化硅层、第一隔离氧化层和非掺杂多晶硅层依次设置在所述有源区沟槽的两侧及所述有源区沟槽的上表面。

7.一种MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

通过第一次离子注入方式，在第一导电类型漂移层上方的非掺杂多晶硅层形成第一层第二导电类型体区；将所述第一导电类型漂移层划分为MOSFET区域、ESD区域和Rg区域；

通过第二次离子注入在所述有源区沟槽之间、所述有源区沟槽两侧、所述ESD区域和所述Rg区域形成第二层第二导电类型体区；

通过第三次离子注入在所述ESD区域内的所述第一层第二导电类型体区上和所述有源区沟槽之间以及所述有源区沟槽的一侧分别形成第一层第一导电类型源区和第二层第一导电类型源区；

在所述第二层第一导电类型源区、第一层第一导电类型源区和所述Rg区域内的所述第一层第二导电类型体区上形成接触孔，并通过所述接触孔依次形成源极区金属层、栅极多晶硅--Rg区连接金属层、Rg区--ESD区连接金属层和栅极区金属层。