[发明专利]一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法有效

专利信息
申请号: 202111023483.3 申请日: 2021-09-02
公开(公告)号: CN113453436B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 王欣;邹铁钦;刘首锟 申请(专利权)人: 广东科翔电子科技股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/06;H05K3/18
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 邓聪权
地址: 516083 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 通讯 hdi 镂空 工艺 制作方法
【权利要求书】:

1.一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:包括以下步骤:

S1.1、外层线路蚀刻:对HDI板进行外层线路蚀刻;

S1.2、整板沉铜、闪镀:对所述HDI板进行整板沉铜、闪镀;

S1.3、超粗化微蚀:对所述HDI板进行超粗化微蚀,以增强干膜附着力;

S1.4、贴膜:使用贴膜机对所述HDI板进行贴干膜;

S1.5、曝光、显影:对所述HDI板上的干膜进行曝光、显影,以使所述HDI板上的铜柱区域的干膜被显影掉;

S1.6、铜柱区域电镀:对所述HDI板上的铜柱区域进行图形电镀,所述铜柱区域内形成铜柱;

S1.7、退膜:退除所述HDI板上的干膜;

S1.8、微蚀:对所述HDI板进行微蚀;

S2.1、控深锣:从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行控深锣;

S2.2、激光烧灼:从HDI板远离铜柱的一侧对所需镂空区域进行激光烧灼,所需镂空区域被镂空成镂空区域;

S2.3、等离子除胶:采用等离子除胶将所述铜柱上的黑色残留物质进行清除;

S2.4、化学除胶:采用水平除胶将所述铜柱上的等离子除胶残留物质进行清洗。

2.根据权利要求1所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:在所述步骤S2.4之后设有以下步骤:

S2.5、超粗化:对所述HDI板进行超粗化;

S2.6、阻焊:对所述HDI板进行阻焊工艺处理;

S2.7、镍钯金:对所述HDI板进行镍钯金工艺处理。

3.根据权利要求2所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:在所述步骤S2.6中,在进行阻焊工艺处理时:采用感光胶、77T网板将所述镂空区域遮盖,防止油墨进入所述镂空区域。

4.根据权利要求1到3任一项所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:

所述HDI板的板厚为800±80um;

在所述步骤S2.1中,在进行控深锣时产生的镂空深度为600-700μm;

在所述步骤S2.2中,在进行激光烧灼时所使用的激光发射器的光圈为1.1mm,在进行激光烧灼时所发射的激光次数包括三枪,在进行激光烧灼时所发射的三枪激光的脉冲宽度分别为12/6/5us,在进行激光烧灼时在所需镂空区域生成的镭射孔采用重叠设计。

5.根据权利要求1所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:所述步骤S1.4包括以下步骤:

S1.41、真空贴膜:所述HDI板放置于真空贴膜机的内部,并使用真空贴膜机对所述HDI板进行贴干膜,所述干膜由真空贴膜机制作;

S1.42、吸真空整平干膜:先将所述真空贴膜机的内部进行抽真空,以将所述HDI板上的线路之间的气体抽调,然后真空贴膜机对所述HDI板上的干膜进行软化、平压。

6.根据权利要求5所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:

在所述步骤S1.2中,整板沉铜的厚度≥0.5μm,闪镀的厚度为2±0.1μm;

在所述步骤S1.3中,超粗化微蚀的深度为0.5-1μm。

7.根据权利要求6所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:

在所述步骤S1.41中,所述干膜为厚度≥100um的超厚干膜,在进行贴干膜时干膜的温度设置为20-25摄氏度;

在所述步骤S1.42中,抽真空的持续时间为60±1s;平压的压力为0.6±0.005MPA,在平压时干膜的温度为40±1摄氏度,平压的持续时间60±1s。

8.根据权利要求7所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:

在所述步骤S1.5中,曝光后至少静置15min,然后显影;

在所述步骤S1.6中,进行图形电镀时采用的电流密度为15asf以下。

9.根据权利要求5到8任一项所述一种5G通讯HDI板镂空铜柱工艺制作方法,其特征在于:在所述步骤S1.8与所述步骤S2.1之间设有以下步骤:S1.9、AOI检查:对所述HDI板进行AOI检查,以检查所述HDI板上是否有渗镀残留。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东科翔电子科技股份有限公司,未经广东科翔电子科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111023483.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top