[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤（1）：提供第一半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的Micro-LED芯片，每个所述Micro-LED芯片具备功能核心区域和外围辅助区域，所述外围辅助区域包围所述功能核心区域；

步骤（2）：提供第一暂态基板，在所述第一暂态基板上设置第一粘合层，进而将所述第一半导体晶圆设置在所述第一粘合层上，所述功能核心区域的有源功能面朝向所述第一粘合层；

步骤（3）：接着对所述第一半导体晶圆进行刻蚀处理，以在每个所述Micro-LED芯片的第一侧面形成多个第一辅助部，并在与所述第一侧面相对设置的第二侧面形成多个第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于所述外围辅助区域中，且多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部分别一一对应；

步骤（4）：接着对每个所述Micro-LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽；

步骤（5）：接着对所述第一半导体晶圆进行切割处理，以形成多个分立的Micro-LED芯片，每个所述Micro-LED芯片均具有相对设置的多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部，相邻所述第一辅助部之间具有一第一间隙，且相邻所述第二辅助部之间具有一第二间隙；

步骤（6）：接着提供第二暂态基板，在所述第二暂态基板上设置第二粘结层，将所述第一半导体晶圆中的多个所述Micro-LED芯片通过所述第二粘结层粘结至所述第二暂态基板，所述第二粘结层粘结每个所述Micro-LED芯片的多个所述第一、第二辅助部且所述第二粘结层的一部分嵌入到所述第一凹槽中；

步骤（7）：接着提供一目标基板，所述目标基板上设置多个Micro-LED芯片安装区，接着在每个所述Micro-LED芯片安装区上设置对应所述第一间隙的第一凸起以及设置对应所述第二间隙的第二凸起；

步骤（8）接着将所述第二暂态基板上的Micro-LED芯片选择性转移至所述目标基板，在选择性转移的过程中，使得所述第一、第二凸起分别嵌入到所述第一、第二间隙中，进而将选择性转移的Micro-LED芯片与所述第二暂态基板分离；

步骤（9）接着对已转移的Micro-LED芯片进行切割处理以全部去除所述Micro-LED芯片的所述第一、第二侧面的多个第一、第二辅助部，接着对已转移的Micro-LED芯片进行平坦化处理以消除所述第一凹槽，且使得所述Micro-LED芯片的非有源功能面为平坦表面。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，每个所述Micro-LED芯片均包括衬底以及设置在所述衬底上的N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，所述功能核心区域具有所述衬底、所述N型氮化镓层、量子阱发光层和P型氮化镓层，而所述外围辅助区域仅具有所述衬底。

4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（3）中，在形成多个所述第一、第二辅助部的同时，在每个所述Micro-LED芯片中与所述第一侧面相邻的第三侧面和第四侧面分别形成多个第三辅助部和多个第四辅助部。

5.根据权利要求3所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：在所述步骤（4）中，多个所述第一凹槽设置在所述衬底中且不贯穿所述衬底。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：所述第一粘合层和所述第二粘结层为临时粘结层，且所述第一、第二暂态基板为透明基板。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于：所述第一半导体晶圆上的Micro-LED芯片颜色为红色时，提供第二半导体晶圆，所述第二半导体晶圆上的Micro-LED芯片颜色为绿色，重复步骤（2）-（9）的芯片转移工艺以将所述第二半导体晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述目标基板；提供第三半导体晶圆，所述第三半导体晶圆上的Micro-LED芯片颜色为蓝色，重复步骤（2）-（9）的芯片转移工艺以将所述第三半导体晶圆上的Micro-LED芯片转移至所述目标基板。