[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法

说明书

本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法。在每个Micro‑LED芯片的第一、第二侧面分别形成多个第一、第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于外围辅助区域中，并且对每个所述Micro‑LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽，进而可以增大第二暂态基板上的第二粘结层与Micro‑LED芯片的接触面积，进而可以提高Micro‑LED芯片在转移过程中的稳定性，且由于在功能核心区域的外侧形成第一、第二辅助部，而不是完全保留外围辅助区域，则是为了方便转移完成后的去除该第一、第二辅助部。上述转移方法可以确保巨量转移的精度和良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种Micro-LED芯片的巨量转移方法。

背景技术

Micro-LED显示器的显示原理是将传统的LED芯片结构设计进行薄膜化、微小化以及阵列化之后，使得形成的Micro-LED芯片的尺寸仅在1~10μm等级左右；然后将Micro-LED芯片批量式转移至采用PCB、柔性PCB及CMOS/TFT集成电路工艺等制成驱动电路基板上，然后再利用物理气相沉积和/或化学气相沉积工艺完成保护层与上电极的制备，最后进行上基板的封装，以得到Micro-LED显示器。与现有的于LCD显示器和OLED显示器相比，Micro-LED显示器在亮度、发光效率、对比度、能耗、反应时间、可视角度、分辨率、寿命等各项指标均具有优势。由于Micro-LED芯片太小且数量庞大，如何将Micro-LED芯片巨量转移是目前Micro-LED产业化过程中面临的核心技术难题。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法。

为实现上述目的，本发明提出一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，包括以下步骤：

步骤（1）：提供第一半导体晶圆，所述第一半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的Micro-LED芯片，每个所述Micro-LED芯片具备功能核心区域和外围辅助区域，所述外围辅助区域包围所述功能核心区域。

步骤（2）：提供第一暂态基板，在所述第一暂态基板上设置第一粘合层，进而将所述第一半导体晶圆设置在所述第一粘合层上，所述功能核心区域的有源功能面朝向所述第一粘合层。

步骤（3）：接着对所述第一半导体晶圆进行刻蚀处理，以在每个所述Micro-LED芯片的第一侧面形成多个第一辅助部，并在与所述第一侧面相对设置的第二侧面形成多个第二辅助部，多个所述第一、第二辅助部均位于所述外围辅助区域中，且多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部分别一一对应。

步骤（4）：接着对每个所述Micro-LED芯片的功能核心区域的非有源功能面进行刻蚀处理，以形成多个相互分离的第一凹槽。

步骤（5）：接着对所述第一半导体晶圆进行切割处理，以形成多个分立的Micro-LED芯片，每个所述Micro-LED芯片均具有相对设置的多个所述第一辅助部和多个所述第二辅助部，相邻所述第一辅助部之间具有一第一间隙，且相邻所述第二辅助部之间具有一第二间隙。

步骤（6）：接着提供第二暂态基板，在所述第二暂态基板上设置第二粘结层，将所述第一半导体晶圆中的多个所述Micro-LED芯片通过所述第二粘结层粘结至所述第二暂态基板，所述第二粘结层粘结每个所述Micro-LED芯片的多个所述第一、第二辅助部且所述第二粘结层的一部分嵌入到所述第一凹槽中。

步骤（7）：接着提供一目标基板，所述目标基板上设置多个Micro-LED芯片安装区，接着在每个所述Micro-LED芯片安装区上设置对应所述第一间隙的第一凸起以及设置对应所述第二间隙的第二凸起。

步骤（8）接着将所述第二暂态基板上的Micro-LED芯片选择性转移至所述目标基板，在选择性转移的过程中，使得所述第一、第二凸起分别嵌入到所述第一、第二间隙中，进而将选择性转移的Micro-LED芯片与所述第二暂态基板分离。