[发明专利]自供电的非易失可编程芯片及存储装置

权利要求书

1.一种自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，所述自供电的非易失可编程芯片包括：

动态随机存储组件，集成有动态随机存储阵列；

非易失性存储组件，集成有非易失性存储阵列，所述非易失性存储阵列与所述动态随机存储阵列连接，

电容组件，集成有集成电路电容阵列，所述集成电路电容阵列与所述动态随机存储阵列和所述非易失性存储阵列连接；

其中，所述动态随机存储组件、所述非易失性存储组件以及所述电容组件层叠设置；

响应于第一预设条件，所述集成电路电容阵列为所述动态随机存储阵列和所述非易失性存储阵列进行供电，以使得所述动态随机存储阵列中的数据存储至所述非易失性存储阵列中，作为所述动态随机存储阵列的备份数据。

2.根据权利要求1所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，响应于第二预设条件，将所述备份数据恢复至所述动态随机存储阵列。

3.根据权利要求2所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，

所述非易失性存储组件还集成有数据保护/恢复逻辑阵列，所述数据保护/恢复逻辑阵列连接所述动态随机存储阵列、所述非易失性存储阵列和所述集成电路电容阵列；其中，响应于所述第一预设条件，所述集成电路电容阵列为所述数据保护/恢复逻辑阵列进行供电，以使所述数据保护/恢复逻辑阵列将所述动态随机存储阵列中的数据存储至所述非易失性存储阵列；响应于所述第二预设条件，所述数据保护/恢复逻辑阵列将所述非易失性存储阵列中的所述备份数据恢复至所述动态随机存储阵列。

4.根据权利要求2所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，

所述自供电的非易失可编程芯片还包括逻辑组件，所述动态随机存储组件、所述非易失性存储组件、所述逻辑组件和所述电容组件层叠设置；

其中，所述逻辑组件集成有数据保护/恢复逻辑阵列，所述数据保护/恢复逻辑阵列连接所述集成电路电容阵列、所述动态随机存储阵列和所述非易失性存储阵列；其中，响应于所述第一预设条件，所述集成电路电容阵列为所述数据保护/恢复逻辑阵列进行供电，以使所述数据保护/恢复逻辑阵列将所述动态随机存储阵列中的数据存储至所述非易失性存储阵列；响应于所述第二预设条件，所述数据保护/恢复逻辑阵列将所述非易失性存储阵列中的所述备份数据恢复至所述动态随机存储阵列。

5.根据权利要求3或4所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，所述电容组件至少为一层，所述至少一层电容组件的集成电路电容阵列被配置为多个电源域，所述非易失性存储阵列与所述数据保护/恢复逻辑阵列以及所述动态随机存储阵列形成多个供电范围，每一所述供电范围至少与所述多个电源域中的其中一个电源域连接，以通过所述电源域进行供电。

6.根据权利要求5所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，每一所述供电范围包括相互连接的至少一个所述非易失性存储阵列、至少一个所述数据保护/恢复逻辑阵列以及至少一个所述动态随机存储阵列。

7.根据权利要求5所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，还包括多个控制开关，每一所述控制开关至少与所述多个电源域中的其中一个电源域连接，所述控制开关用于控制与之连接的所述电源域的供电或断电。

8.根据权利要求7所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，所述动态随机存储阵列中的至少部分数据为非敏感数据；所述控制开关用于控制与所述非敏感数据对应的所述电源域始终断电。

9.根据权利要求3或4所述的自供电的非易失可编程芯片，其特征在于，所述数据保护/恢复逻辑阵列包括保护电路和恢复电路；

其中，所述保护电路用于将所述动态随机存储阵列中的数据存储至所述非易失性存储阵列；所述恢复电路用于将所述非易失性存储阵列中的所述备份数据恢复至所述动态随机存储阵列；所述电容组件用于向所述动态随机存储阵列、所述保护电路、所述恢复电路以及所述非易失性存储阵列供电。