[发明专利]自供电的非易失可编程芯片及存储装置

说明书

本申请提供一种自供电的非易失可编程芯片及存储装置。该自供电的非易失可编程芯片包括：动态随机存储组件集成有动态随机存储阵列；非易失性存储组件集成有非易失性存储阵列，非易失性存储阵列与动态随机存储阵列连接，电容组件集成有集成电路电容阵列，集成电路电容阵列与动态随机存储阵列和非易失性存储阵列连接；动态随机存储组件、非易失性存储组件以及电容组件层叠设置；响应于第一预设条件，集成电路电容阵列为动态随机存储阵列和非易失性存储阵列进行供电，以使动态随机存储阵列中的数据存储至非易失性存储阵列中，作为动态随机存储阵列的备份数据。从而不仅能对动态随机存储组件中的数据进行保护，且集成密度较高；同时能够实现自供电。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种自供电的非易失可编程芯片及存储装置。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0，且因其具备极高的存储密度而被广泛使用。但DRAM在使用过程中，在系统发生断电时会出现刷新停止，导致数据损毁，使得DRAM在高可靠性场合的应用受到较大限制；例如服务器等设备上的内存模组。

为解决因断电问题导致DRAM中数据损毁的问题；目前，一般在非易失性双列直插式内存模组(Non-Volatile Dual In-line Memory Module，NVDIMM)的板卡上进一步设置非易失性存储芯片和数据保护/恢复器件，以通过非易失性存储芯片存储备份DRAM中的数据，通过数据保护/恢复器件将DRAM中的数据存储至非易失性存储芯片或将非易失性存储芯片中的数据恢复至DRAM。

但是NVDIMM模组，需要搭配超级电容模块，在系统掉电后，通过超级电容模块维持NVDIMM供电，直至NVDIMM完成数据在非易失存储器内的保护。每个NVDIMM模组都需要搭配超级电容模块，显著增加成本。

发明内容

本申请提供一种自供电的非易失可编程芯片及存储装置，能够解决因断电问题导致动态随机存储组件中数据损毁的问题，且集成密度较高；同时能够实现自供电。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种自供电的非易失可编程芯片。该自供电的非易失可编程芯片包括：动态随机存储组件、非易失性存储组件和电容组件；其中，动态随机存储组件集成有动态随机存储阵列；非易失性存储组件集成有非易失性存储阵列，非易失性存储阵列与动态随机存储阵列连接，电容组件集成有集成电路电容阵列，集成电路电容阵列与动态随机存储阵列和非易失性存储阵列连接；其中，动态随机存储组件、非易失性存储组件以及电容组件层叠设置；响应于第一预设条件，集成电路电容阵列为动态随机存储阵列和非易失性存储阵列进行供电，以使得动态随机存储阵列中的数据存储至非易失性存储阵列中，作为动态随机存储阵列的备份数据。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种存储装置。该存储装置包括：存储接口和多个自供电的非易失可编程芯片；其中，每一自供电的非易失可编程芯片通过外接接口与存储接口连接；其中，自供电的非易失可编程芯片为上述所涉及的自供电的非易失可编程芯片。