[发明专利]一种晶圆清洗装置及清洗系统有效
申请号: | 202111029855.3 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN113745132B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 时旭 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 王娜 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 清洗 装置 系统 | ||
1.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括:承载台、限位机构、清洗机构以及温度调节组件;
所述承载台具有用于承载晶圆的承载面,所述限位机构安装于所述承载面,用于限定放置所述晶圆的容纳区域;所述容纳区域具有若干个开口区,每个所述开口区具有多个开口部;
所述温度调节组件可单独控制每个开口区内所有开口部的气流状况,用于与所述清洗机构配合以使所述晶圆整体均匀受热,其中所述气流状况包括所述气流的温度。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述清洗机构包括喷嘴组件,所述喷嘴组件的喷射口朝向所述承载面,且所述喷射口在所述承载面的正投影位于所述容纳区域的中心,用于向位于所述承载面上的晶圆喷射预设温度的清洗介质。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述预设温度高于常温;
所述开口区为所述容纳区域中与所述晶圆的边缘对应的环形区域,且所述多个开口部环形分布于所述开口区。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述多个开口部均匀分布于所述开口区。
5.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述温度调节组件包括位于所述承载台内部的主气道以及与所述主气道连通的多条支气道,所述支气道与所述开口部一一对应,且每条支气道与对应的开口部连通;所述主气道内部设有加热器,用于调节所述主气道内部气体温度。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述温度调节组件还包括第一调节阀组,每一组相互对应的支气道和开口部中,所述第一调节阀组用于调节不同支气道内的气流大小。
7.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述开口部为孔状结构,且所述开口部的孔径的大小为0.5-1mm。
8.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述开口区中开口部的数量为20-40个。
9.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述预设温度为常温;
所述容纳区域具有多个同心设置的环形开口区,每个所述环形开口区均具有多个开口部,且所述多个开口部沿所述环形开口区环形分布。
10.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,多个所述环形开口区等间距均匀设置。
11.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述多个开口部沿所述环形开口区均匀分布。
12.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述温度调节组件包括位于所述承载台内部的多条气道,所述气道与所述开口部一一对应,且每条气道与对应的开口部连通;所述多条气道中的每条气道内部均设有加热器,用于调节对应气道内部气体温度。
13.根据权利要求12所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述温度调节组件还包括第二调节阀组,同一开口区每一组相互对应的气道和开口部中,所述第二调节阀组用于调节不同气道内的气流大小。
14.根据权利要求12所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述开口部为孔状结构,且所述开口部的孔径的大小为0.5-1mm。
15.根据权利要求12所述的晶圆清洗装置,其特征在于,每个所述开口区中开口部的数量为60-120个。
16.一种晶圆清洗系统,其特征在于,包括如权利要求1-15中任一项所述的晶圆清洗装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造