[发明专利]一种晶圆清洗装置及清洗系统

说明书

本发明涉及半导体领域，公开一种晶圆清洗装置及清洗系统。晶圆清洗装置包括：承载台、限位机构、清洗机构以及温度调节组件；承载台具有用于承载晶圆的承载面，限位机构安装于承载面，用于限定放置晶圆的容纳区域；容纳区域具有若干个开口区，每个开口区具有多个开口部；温度调节组件可单独控制每个开口区内所有开口部的气流状况，用于与清洗机构配合以使晶圆整体均匀受热，其中气流状况包括气流的温度。上述晶圆清洗装置可使整个晶圆均匀受热，从而提升晶圆背面膜层去除的均匀度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆清洗装置及清洗系统。

背景技术

在半导体芯片DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)生产过程中，炉管制程会将膜层材料如氧化硅、氮化硅和多晶硅等沉积到晶圆的背面，随着膜层的叠加，晶圆累积的物理应力会越来越大，导致晶圆翘曲程度不断增加，从而影响后续黄光制程的散焦和对准等，甚至导致图形结构畸变，降低产品的良率。因此需要对晶圆背面膜层进行清洗。

发明内容

根据一些实施例，本申请第一方面提供一种晶圆清洗装置，包括：承载台、限位机构、清洗机构以及温度调节组件；

所述承载台具有用于承载晶圆的承载面，所述限位机构安装于所述承载面，用于限定放置所述晶圆的容纳区域；所述容纳区域具有若干个开口区，每个所述开口区具有多个开口部；

所述温度调节组件可单独控制每个开口区内所有开口部的气流状况，用于与所述清洗机构配合以使所述晶圆整体均匀受热，其中所述气流状况包括所述气流的温度。

本申请的实施例至少具有以下优点：

采用上述晶圆清洗装置清洗晶圆时，晶圆通过限位机构限位在承载面的容纳区域，容纳区域具有若干个开口区，每个开口区具有多个开口部；所有开口部均位于晶圆下方，并通入气体以保护晶圆正面的图形，温度调节组件可单独控制每个开口区内所有开口部的气流温度，清洗机构移动至晶圆上方喷洒清洗介质，用于清洗晶圆背面；温度调节组件与清洗机构配合，依据清洗机构喷洒的清洗介质温度调节晶圆下方的气流温度，使得整个晶圆均匀受热，从而提升晶圆背面膜层去除的均匀度。

在一些实施例中，所述清洗机构包括喷嘴组件，所述喷嘴组件的喷射口朝向所述承载面，且所述喷射口在所述承载面的正投影位于所述容纳区域的中心，用于向位于所述承载面上的晶圆喷射预设温度的清洗介质。

在一些实施例中，所述预设温度高于常温；

所述开口区为所述容纳区域中与所述晶圆的边缘对应的环形区域，且所述多个开口部环形分布于所述开口区。

在一些实施例中，所述多个开口部均匀分布于所述开口区。

在一些实施例中，所述温度调节组件包括位于所述承载台内部的主气道以及与所述主气道连通的多条支气道，所述支气道与所述开口部一一对应，且每条支气道与对应的开口部连通；所述主气道内部设有加热器，用于调节所述主气道内部气体温度。

在一些实施例中，所述温度调节组件还包括第一调节阀组，每一组相互对应的支气道和开口部中，所述第一调节阀组用于调节不同支气道内的气流大小。

在一些实施例中，所述开口部为孔状结构，且所述开口部的孔径的大小为0.5-1mm。

在一些实施例中，所述开口区中开口部的数量为20-40个。

在一些实施例中，所述预设温度为常温；

所述容纳区域具有多个同心设置的环形开口区，每个所述环形开口区均具有多个开口部，且所述多个开口部沿所述环形开口区环形分布。

在一些实施例中，多个所述环形开口区等间距均匀设置。

在一些实施例中，所述多个开口部沿所述环形开口区均匀分布。