[发明专利]一种非高温连接温度传感器的封装方法在审
| 申请号： | 202111030162.6 | 申请日： | 2021-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113814504A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 何凯;汪民;许玉方;赵克荣 | 申请（专利权）人： | 广州德芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K1/00 | 分类号： | B23K1/00;B23K1/20;B23K35/24 |
| 代理公司： | 广州科沃园专利代理有限公司 44416 | 代理人： | 曾美萍 |
| 地址： | 510000 广东省广州市番禺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 连接 温度传感器 封装 方法 | ||
1.一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，包括有以下主要步骤：
（1）将SnAgCu系无铅钎料与纳米级Ag粉末加入到松香酒精搅拌混合，获得复合钎料，其中，复合钎料中Ag质量百分比含量为40%~60%；
（2）在电子器件的基板待连接表面涂覆一层所述复合钎料，并将基板连接；
（3）在真空条件下，将连接好的基板加热至220℃~280℃，保温处理25min~40min；
（4）在保温处理的同时施予旋转磁场，磁场的磁感应强度为300mT~340mT；
（5）冷却。
2.根据权利要求1所述的一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，步骤（2）中，制得的复合钎料中Ag元素含量为40%~60%。
3.根据权利要求1所述的一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，所述SnAgCu系无铅钎料为Sn3.0Ag0.5Cu无铅钎料。
4.根据权利要求1所述的一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，步骤（3）中，真空条件下向基板连接处施予0-0.1MPa焊接压力。
5.根据权利要求1所述的一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，步骤（3）中，待真空度小于 2 × 10 -3Pa 后开始加热，加热方式为电阻辐射加热。
6.根据权利要求1所述的一种非高温连接温度传感器的封装方法，其特征在于，步骤（4）中，使用永磁体施加旋转磁场，永磁体旋转速度为1000 r/min。
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