[发明专利]一种非高温连接温度传感器的封装方法

说明书

本发明公开了一种非高温连接温度传感器的封装方法，其采用高银含量（Ag含量高达40~60%）的复合钎料，在真空条件加热保温实现瞬时液相扩散焊接并且旋转磁场辅助焊接。此方法可使本发明的步骤（3）电子器件的基板连接可以在低于服役温度（60℃到100℃）以下进行，相对于在服役温度下操作，本发明的方法更加方便及容易操作，无需在加热的环境中进行本发明的连接难度也大为降低，因而本发明能有效地减少高温器件封装难度，减少加工成本，并且封装的电子嵌件服役性能更加优异，更耐高温。

技术领域

本发明涉及电子器件高温封装技术领域，特别是涉及一种非高温连接温度传感器的封装方法。

背景技术

对于电子器件，如温度传感器等，常需要进行高温封装，其通常使用钎料封装连接，但现有技术的钎料及连接方法存在各种问题，锌基高温钎料的锌的标准电极电位较低，容易与其它金属形成电偶腐蚀，使器件在极端环境下的寿命变短Zn元素又极易与氧结合而易被腐蚀，同时，锌与铜、镍基板的润湿性较差，封装效果不好。金基高温钎料的不足之处是自身较脆且硬度高，不易于加工制备成形，并且，金基钎料价格昂贵，也极大地制约了其在封装领域中的大规模应用。银低温烧结连接由于固态烧结连接自身存在的不足，使得连接过程动力学缓慢，所需辅助压力较大而不能广发应用。而且，上述方法均需在较高的服役温度下将不同的部件进行连接，高温操作下操作难度，而且对于对温度敏感的电子器件而言，长时间的高温状态下也会对这些电子器件产生损害，影响电子器件的可靠性及质量。

因此，针对现有技术中的存在问题，亟需提供一种非高温下进行连接、易操作、低成本、提高电子器件可靠性的封装技术。

发明内容

本发明的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供非一种非高温下进行连接、易操作、低成本、提高电子器件可靠性的非高温连接温度传感器的封装方法。

本发明的目的通过以下技术方案实现：

提供一种非高温连接温度传感器的封装方法，包括有以下主要步骤：

（1）将SnAgCu系无铅钎料与纳米级Ag粉末加入到松香酒精搅拌混合获得复合钎料，其中，复合钎料中Ag质量百分比含量为40%~60%；

（2）在电子器件的基板待连接表面涂覆一层所述复合钎料，并将基板连接；

（3）在真空条件下，将连接好的基板加热至220℃~280℃，保温处理25min~40min；

（4）在保温处理的同时施予旋转磁场，磁场的磁感应强度为300mT~340mT；

（5）冷却。

优选的，步骤（2）中，制得的复合钎料中Ag元素含量为40%~60%。

优选的，所述SnAgCu系无铅钎料为Sn3.0Ag0.5Cu无铅钎料。

优选的，步骤（3）中，真空条件下向基板连接处施予0-0.1MPa焊接压力。

优选的，步骤（3）中，待真空度小于 2 × 10 -3Pa 后开始加热，加热方式为电阻辐射加热。

优选的，步骤（4）中，使用永磁体施加旋转磁场，永磁体旋转速度为1000 r/min。

本发明的有益效果：

本发明的非高温连接温度传感器的封装方法采用高银含量（Ag含量高达40~60%）的复合钎料，在真空条件加热保温实现瞬时液相扩散焊接并且旋转磁场辅助焊接。此方法可使本发明的步骤（3）电子器件的基板连接可以在低于服役温度（60℃到100℃）以下进行，相对于在服役温度下操作，本发明的方法更加方便及容易操作，无需在加热的环境中进行本发明的连接难度也大为降低，因而本发明能有效地减少高温器件封装难度，减少加工成本，并且封装的电子嵌件服役性能更加优异，更耐高温。

附图说明

利用附图对本发明做进一步说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。