[发明专利]锗晶体用抛光液及其制备方法在审
申请号: | 202111030631.4 | 申请日: | 2021-09-02 |
公开(公告)号: | CN113583573A | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 杨安;黄雪丽;尹士平 | 申请(专利权)人: | 安徽光智科技有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人: | 张向琨 |
地址: | 239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 抛光 及其 制备 方法 | ||
1.一种锗晶体用抛光液,其特征在于,所述抛光液按重量计%,主要由下列原料组成:
抛光剂 20%~80%;
有机溶剂为 10%~50%;
pH值调节剂 1%~30%;
余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述抛光剂为氧化硅、氧化铝、钻石粉中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述抛光剂粒度为0.1um~5um,浓度为0.1g/L~20g/L。
4.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述有机溶剂为丙二醇。
5.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述有机溶剂纯度为99%。
6.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述PH值调节剂为柠檬酸。
7.根据权利要求1所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,
所述PH值调节剂纯度为99%。
8.一种锗晶体用抛光液的制备方法,用于制备权利要求1-7中任一项所述的锗晶体用抛光液,其特征在于,包括步骤:
步骤一:将抛光剂加去离子水在搅拌条件下加入有机溶剂;
步骤二:将pH添加剂加入步骤一中,搅拌均匀后得到抛光液。
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