[发明专利]锗晶体用抛光液及其制备方法

说明书

本申请提供一种锗晶体用抛光液。所述抛光液按重量计％，主要由下列原料组成：抛光剂：20％～80％；有机溶剂为：10％～50％；pH值调节剂：1％～30％；余量为去离子水。并提供了一种锗晶体用抛光液的制备方法，包括步骤：步骤一，将抛光剂加去离子水在搅拌条件下加入有机溶剂；步骤二，将pH添加剂加入步骤一中，搅拌均匀后得到抛光液。本申请的锗晶体用抛光液不含有氧化剂，不含重金属离子，对环境无污染。抛光后晶片粗糙度较低，不容易起划痕，抛光液化学试剂简单，是理想的抛光液材料。

技术领域

本发明涉及表面加工技术领域，具体涉及一种锗晶体用抛光液及其制备方法。

背景技术

锗是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，有明显的非金属性质，其化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用。锗在地壳中的含量约为0.0007％，是地壳中最分散的元素之一，几乎没有比较集中的锗矿，其被广泛应用于电子、光学、化工、生物医学、能源及其他高新科技领域。锗作为红外光学材料，具有红外折射率高，红外透过波段范围宽，吸收系数小、色散率低、易加工、闪光及腐蚀等优点，特别适用于军工及重大民用中的热成像仪与红外雷达及其他红外光学装置的窗口、透镜、棱镜与滤光片的材料。红外光学应用领域将是未来锗需求的最主要增长点，代表着锗未来增长方向。在红外加工领域对锗晶片的抛光是加工工序中重要一环，直接影响其产品的光学性能。但目前抛光后晶片粗糙度较高，容易起划痕，抛光液化学试剂较为复杂，造成抛光效率低，因此需要对抛光液的性能需要进一步提高。

发明内容

鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种锗晶体用抛光液及其制备方法。所述锗晶体用抛光液抛光后晶片粗糙度较低，不容易起划痕，并且对环境无污染。

为了达到上述目的，在本申请的第一方面，本申请提供了一种锗晶体用抛光液，所述抛光液按重量计％，主要由下列原料组成：抛光剂：20％～80％；有机溶剂为：10％～50％；pH值调节剂：1％～30％；余量为去离子水。

在一些实施例中，抛光剂为氧化硅、氧化铝、钻石粉中的至少一种。

在一些实施例中，抛光剂粒度为0.1um～5um，浓度为0.1g/L～20g/L。

在一些实施例中，有机溶剂为丙二醇。

在一些实施例中，有机溶剂纯度为99％。

在一些实施例中，pH值调节剂为柠檬酸。

在一些实施例中，pH值调节剂纯度为99％。

在本申请的第二方面，本申请提供了一种锗晶体用抛光液的制备方法，用于制备锗晶体用抛光液，包括步骤：步骤一：将抛光剂加去离子水在搅拌条件下加入有机溶剂；步骤二：将pH添加剂加入步骤一中，搅拌均匀后得到抛光液。

本公开的有益效果如下：

本申请的锗晶体用抛光液不含有氧化剂，不含重金属离子，对环境无污染。抛光后晶片粗糙度较低，不容易起划痕，抛光液化学试剂简单，是理想的抛光液材料。

具体实施方式

下面详细说明根据本申请的第一方面的锗晶体用抛光液，抛光液按重量计％，主要由下列原料组成：抛光剂：20％～80％；有机溶剂为：10％～50％；pH值调节剂：1％～30％；余量为去离子水。

在根据本申请第一方面所述的锗晶体用抛光液原料中，抛光剂起到对锗晶体表面进行抛光的作用，其含量范围为20％～80％，抛光剂含量过多会划伤锗晶体的表面，抛光剂含量过少会减少机械去除，降低抛光效率。有机溶剂的含量为10％～50％，有机溶剂含量过多会降低抛光效率，有机溶剂含量过少会划伤锗晶体的表面。pH值调节剂的含量范围为1％～30％，pH值调节剂的含量过多会造成酸碱性过强，过度腐蚀抛光晶体表面，pH值调节剂的含量过少对抛光无辅助作用，降低去除率。