[发明专利]一种高压NPN器件

权利要求书

1.一种高压NPN器件，包括低压NPN三极管，其特征在于，还包括JFET管，所述低压NPN三极管与所述JFET管集成；所述低压NPN三极管的集电极接所述JFET管的源极；所述JFET管的漏极作为所述高压NPN器件的集电极；所述低压NPN三极管的基极和发射极分别作为所述高压NPN器件的基极和发射极。

2.根据权利要求1所述的高压NPN器件，其特征在于，P型衬底上方设有N型外延岛，所述N型外延岛下端与所述P型衬底之间，由左至右依次设有第一N型埋层和第二N型埋层；

所述第一N型埋层上方由下至上依次相连第一深N阱扩散区、第一N+扩散区，所述第一N+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述JFET管的漏极和所述高压NPN器件的集电极引出端；

所述N型外延岛内设有第二P阱区，所述第二P阱区位于所述第一N型埋层和第二N型埋层之间的上方，所述第二P阱区与其正下方的P型衬底连接，作为所述JFET管的栅极；

所述第二N型埋层的上方由下至上依次相连第二深N阱扩散区、第二N+扩散区，作为所述JFET管的源极和所述低压NPN三极管的集电极；

所述N型外延岛内设有Pbase扩散区，所述Pbase扩散区位于所述第二深N阱扩散区、第二N+扩散区的右侧，所述Pbase扩散区内，对应左端和右端分别设有P+扩散区和第三N+扩散区，所述P+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述低压NPN三极管的基极引出端，所述第三N+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述低压NPN三极管的发射极引出端。

3.根据权利要求2所述的高压NPN器件，其特征在于：所述N型外延岛两侧设有第一P阱区、第三P阱区，所述第一P阱区位于所述第一深N阱扩散区、第一N+扩散区的左侧，所述第一P阱区下方接有第一P型埋层；所述第三P阱区位于所述Pbase扩散区的右侧，所述第三P阱区下方接有第二P型埋层。

4.根据权利要求2所述的高压NPN器件，其特征在于：所述P型衬底、第二P阱区、对应所述JFET管漏区和栅极外侧的N型外延岛，均采用耐压的或高耐压的轻掺杂硅材料；所述JFET管漏区和栅极外侧的N型外延岛是指，对应所述第一深N阱扩散区和第二深N阱扩散区之间的N型外延岛区域。

5.根据权利要求1所述的高压NPN器件，其特征在于，P型衬底上方设有N型外延岛，所述N型外延岛下端与所述P型衬底之间，设有第二N型埋层；所述N型外延岛上端设有第一N+扩散区，所述第一N+扩散区位于所述第二N型埋层左侧；

所述第一N+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述JFET管的漏极和所述高压NPN器件的集电极引出端；

所述N型外延岛内设有第二P阱区，所述第二P阱区位于所述第一N+扩散区和第二N型埋层之间，所述第二P阱区与其正下方的P型衬底连接，作为所述JFET管的栅极；

所述第二N型埋层作为所述JFET管的源极和所述低压NPN三极管的集电极；

所述N型外延岛内设有Pbase扩散区，所述Pbase扩散区位于所述第二N型埋层的上方，所述Pbase扩散区内，对应左端和右端分别设有P+扩散区和第三N+扩散区，所述P+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述低压NPN三极管的基极引出端，所述第三N+扩散区上方通过接触孔和金属线形成欧姆接触，作为所述低压NPN三极管的发射极引出端。