[发明专利]激光解键合方法

说明书

本发明提供一种激光解键合方法，应用于具有晶圆与基板的叠层结构的解键合过程中，所述方法包括：采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射，以使所述叠层结构中的键合物质发生相变；对当前目标区域施加拉力，以使所述叠层结构的目标区域分离；确定下一目标区域的位置并将激光发生器进行移动，以使所述激光发生器能对下一目标区域进行照射的位置。本发明能够在对叠层结构的局部进行照射之后即对叠层结构进行分离，减少热损失，提高解键合效果。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种激光解键合方法。

背景技术

在半导体制程领域中，经常需要对半导体晶圆单片的厚度进行薄化，所以必须对具有厚度的半导体晶圆在加载集成电路后对背面进行薄化加工(研磨切削)，而在加工过程中，通常会利用一基板将半导体晶圆暂时性键合(Temporary Bonding)，而由基板在加工过程作为半导体晶圆的基底，以保护半导体晶圆在加工过程不因厚度薄化而受损，当半导体晶圆完成薄化的后，必须再将半导体晶圆和基板解键合(DeBonding)。

现有技术中，在对半导体晶圆和基板解键合的过程中，通过对键合胶进行化学溶剂进行溶解、通过热滑动剥离或者通过激光解键合的方式来实现半导体晶圆和基板的解键合。而对于激光解键合来说，通常需要采用激光对所有键合胶进行照射，使其发生相变，再对半导体晶圆和基板进行施力分离。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下技术问题：由于激光对键合胶的照射过程需要逐点进行，而对于最后照射的键合胶和最先照射的键合胶来说，存在一个较长的时间差，因此，在施力分离过程中，不同区域的键合胶处于不同的状态，不利于对半导体晶圆和基板的分离。

发明内容

本发明提供的激光解键合方法，能够在对叠层结构的局部进行照射之后即对叠层结构进行分离，减少热损失，提高解键合效果。

本发明提供一种激光解键合方法，应用于具有晶圆与基板的叠层结构的解键合过程中，所述方法包括：

采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射，以使所述叠层结构中的键合物质发生相变；

对当前目标区域施加拉力，以使所述叠层结构的目标区域分离；

确定下一目标区域的位置并将激光发生器进行移动，以使所述激光发生器能对下一目标区域进行照射的位置。

可选地，确定下一目标区域的位置包括：

沿所述叠层结构的周向以第一预定距离步进，以确定下一位置区域；

依据下一位置区域的分离状态，确定下一目标区域的位置。

可选地，依据下一位置区域的分离状态，确定下一目标区域的位置包括：

当下一位置区域的分离状态为未分离状态时，确定下一位置区域为下一目标区域；

当下一位置区域的分离状态为已分离状态时，沿所述叠层结构的径向以第二预定距离步进，以确定下一目标区域。

可选地，确定下一目标区域的位置包括：沿所述晶圆的径向以第三预定距离步进，以确定下一目标区域的位置。

可选地，采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射包括：

对所述目标区域中的当前目标点进行照射；

沿所述晶圆的周向以第四预定距离步进，以确定当前目标区域中的下一点位置；

当下一点位置为已照射位置时，停止对当前目标区域的照射；

当下一点位置为未照射位置时，以下一点位置作为下一目标点。

可选地，采用激光发生器对叠层结构的当前目标区域进行照射之前还包括：