[发明专利]半导体封装以及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202111037391.0 申请日: 2021-09-06
公开(公告)号: CN114256203A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 大卫·锡纳乐;麦克·凯利;拉诺德·胡莫勒;莫印苏;李相亨;杜旺朱;金进勇 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

信号重布结构,其包括信号重布结构顶侧、信号重布结构底侧和多个信号重布结构横向侧,其中所述信号重布结构是无芯的;

下部电子组件,其包括下部电子组件顶侧、下部电子组件底侧和多个下部电子组件横向侧,其中所述下部电子组件顶侧耦合到所述信号重布结构底侧;

竖直互连结构,其在从所述下部电子组件横向偏移的位置处耦合到所述信号重布结构底侧;

下部电子组件互连结构,其耦合到所述下部电子组件顶侧和所述下部电子组件底侧,使得所述下部电子组件通过至少所述下部电子组件互连结构电耦合到所述信号重布结构;

半导体裸片,其包括裸片顶侧、裸片底侧和多个裸片横向侧;

第一裸片互连结构,其耦合到所述信号重布结构顶侧和所述裸片底侧,使得所述半导体裸片电耦合到所述竖直互连结构;及

第二裸片互连结构,其耦合到所述信号重布结构顶侧和所述裸片底侧,使得所述半导体裸片电耦合到所述下部电子组件。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于:

所述半导体裸片通过至少所述第一裸片互连结构和所述信号重布结构电耦合到所述竖直互连结构;且

所述半导体裸片通过至少所述第二裸片互连结构、所述信号重布结构和所述下部电子组件互连结构电耦合到所述下部电子组件。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述下部电子组件互连结构包括金属柱。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述竖直互连结构竖直地横跨所述下部电子组件和所述下部电子组件互连结构。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,包括第一包封材料,所述第一包封材料横向地围绕所述下部电子组件、所述下部电子组件互连结构和所述竖直互连结构。

6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述下部电子组件底侧从所述第一包封材料暴露,且所述电子装置进一步包括接触且覆盖所述下部电子组件底侧的材料层。

7.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,包括与所述第一包封材料分离的横向地围绕所述半导体裸片的第二包封材料。

8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述下部电子组件包括下部电子组件衬底和所述下部电子组件衬底上的下部电子组件包封体。

9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述下部电子组件包括连接裸片。

10.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述下部电子组件的第一部分定位在所述半导体裸片的覆盖区内,且所述下部电子组件的第二部分定位在所述半导体裸片的所述覆盖区外部。

11.一种电子装置,其特征在于,包括:

第一信号重布结构,其包括第一信号重布结构第一侧和与所述第一信号重布结构第一侧相对的第一信号重布结构第二侧;

所述第一信号重布结构第一侧上的竖直互连结构;

所述第一信号重布结构第一侧上的连接裸片,其包括:

连接裸片信号重布结构,其包括背离所述第一信号重布结构的连接裸片信号重布结构第一侧,和面向所述第一信号重布结构的连接裸片信号重布结构第二侧;

连接裸片互连件,其耦合到所述连接裸片信号重布结构第二侧和所述第一信号重布结构第一侧;及

连接裸片包封体,其包封所述连接裸片互连件和所述连接裸片信号重布结构第二侧;及

第二信号重布结构,其在所述竖直互连结构上且在所述连接裸片信号重布结构第一侧上,所述第二信号重布结构包括背离所述连接裸片的第二信号重布结构第一侧和面向所述连接裸片的第二信号重布结构第二侧。

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