[发明专利]玻璃基板和包括所述玻璃基板的显示设备在审
申请号: | 202111037477.3 | 申请日: | 2016-01-14 |
公开(公告)号: | CN113725235A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | J·S·阿博特三世;T·热海;A·厄尔卡罗特;Y·后藤;S·F·霍伊森;C·Y·徐;S·井伊;K·C·康;Y·加藤;S·R·马卡姆;T·J·奥德瑞考;C·L·斯陶特 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;C03C17/06;C03C17/22;C03C17/23 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 包括 显示 设备 | ||
1.一种用于制造薄膜器件的方法,包括:
标记玻璃基板,以指示所述玻璃基板的凹面取向;
基于被标记的凹面取向,将所述玻璃基板支撑在平整的参考表面上,使得所述玻璃基板相对于所述平整的参考表面呈圆顶状;
在第一温度下将至少一个金属膜涂敷到所述玻璃基板的凸形表面上以便形成所述薄膜器件;以及
将所述薄膜器件冷却至第二温度,所述金属膜具有比所述玻璃基板高的热膨胀系数。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个金属膜选自以下各项:铜、硅、非晶硅、多晶硅、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化锌、其他金属氧化物及其掺杂金属和氧化物、以及其组合。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个金属膜具有范围从到的厚度。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个金属膜具有范围从到的宽度。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述玻璃基板具有小于3mm的厚度。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述玻璃基板具有在0.2mm与小于1mm之间的厚度。
7.如权利要求1所述的方法,其中,所述玻璃基板在所述玻璃基板的长度和宽度上具有恒定的厚度。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一温度小于1500℃,并且其中,所述第二温度小于100℃。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述至少一个金属膜和所述玻璃基板在范围从所述第一温度到所述第二温度的温度下具有不同的热膨胀系数。
10.一种根据权利要求1至9中任一项所述的方法制造的薄膜晶体管、滤色片或有机发光二极管。
11.一种用于减少薄膜器件中的翘曲的方法,包括:
标记玻璃基板,以指示所述玻璃基板的凹面取向;
基于被标记的凹面取向,将所述玻璃基板支撑在平整的参考表面上,使得所述玻璃基板相对于所述平整的参考表面呈圆顶状;
将至少一个金属膜涂敷到所述玻璃基板的凸形表面上,其中所述金属膜具有比所述玻璃基板高的热膨胀系数。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述至少一个金属膜具有范围从到的厚度。
13.如权利要求11所述的方法,其中,所述至少一个金属膜具有范围从到的宽度。
14.如权利要求11所述的方法,其中,所述玻璃基板在所述玻璃基板的长度和宽度上具有恒定的厚度。
15.一种薄膜器件,包括玻璃基板和至少一个金属膜,所述至少一个金属膜布置在所述玻璃基板的凸形表面上,
其中,所述金属膜具有选自范围从到的厚度或范围从到的宽度的至少一个尺寸;
所述金属膜选自以下各项:铜、硅、非晶硅、多晶硅、ITO、IGZO、IZO、ZTO、氧化锌;
所述薄膜器件的翘曲小于200微米;
所述玻璃基板包括用于指示其凹面取向的标记;并且
在将所述至少一个金属膜布置在所述玻璃基板的所述凸形表面上之前,所述玻璃基板基于所述标记被支撑在平整的参考表面上,从而所述玻璃基板相对于所述平整的参考表面呈圆顶状。
16.如权利要求15所述的薄膜器件,其中,所述玻璃基板具有小于3mm的厚度。
17.如权利要求15所述的薄膜器件,其中,所述玻璃基板具有在0.2mm与小于1mm之间的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的