[发明专利]用于串行EEPROM的新的存储器架构

说明书

本公开的实施例涉及用于串行EEPROM的新的存储器架构。在一个实施例中，一种电可擦除可编程可读存储器包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元组织在以矩阵方式排列成行和列的存储器平面中，其中，每个存储器单元包括具有源极区、漏极区、位于漏极侧的注入窗口、控制栅极和浮置栅极的状态晶体管和具有源极区、漏极区和栅极的隔离晶体管；以及隔离屏障，包括掩埋层和从掩埋层延伸到衬底的表面的至少一个壁，其中，至少一个壁垂直于掩埋层，并且其中，隔离屏障形成围绕存储器单元中的至少一个并将其与衬底的其余部分隔离的内部衬底。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月7日提交的法国专利申请第2009060号的权益，该申请通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)类型的非易失性存储器。

背景技术

EEPROM(也称为E₂PROM或E²PROM)是一种只读存储器，可以多次擦除和重新编程(从100,000到1,000,000次)，并且读取次数不限。EEPROM通常由多个存储器单元构成。

图1示意性地示出了诸如在现有技术中描述的存储器单元。

更具体地，单元CELL'表示源自法国专利第FR3071355号的EEPROM的这种存储器单元的结构的示例。该存储器单元包括状态晶体管TE、隔离晶体管TI以及与源极线SL和位线BL(也被称为术语“二进制线”或“位线”)的连接。

状态晶体管TE包括源极TEs、漏极TEd、控制栅极CG和浮置栅极FG。状态晶体管TE使得能够以非易失性方式在其浮置栅极FG中存储表示逻辑数据的电荷。电荷的注入和提取经由位于状态晶体管TE的源极TE侧的注入窗口INJT发生，从而实现福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)效应。

隔离晶体管TI包括源极TIs、漏极TId和控制栅极CGI。隔离晶体管TI使得通过导通端子将状态晶体管TE耦合到源极线SL，从而隔离或不隔离状态晶体管TE成为可能。

通常，以已知的方式，EEPROM型存储器能够存储属于包括行和列的存储器平面的存储器字。存储器字通常包括位于同一行上的八个存储器单元CELL'。然后，行(也称为“页”)包括以第一方向X的意义组织的一系列存储器字，列COL包括以垂直于第一方向X的第二方向Y的意义组织的一系列存储器字。行和列的交点形成存储器字(也称为“字节”)。

在这种类型的存储器单元的使用范围内，写入通常包括擦除步骤和随后的编程步骤。在写入期间施加至状态晶体管TE的电压(+/-15V)是高的。这导致芯片的衬底上的高能耗和体积，特别是为了放置电荷泵，使得有可能获得这样的电压。

发明内容

实施例通过提供EEPROM和用于写入该存储器的方法克服了上述缺点，使得可以限制写入所需的电压。

实施例提出了一种电可擦除可编程只读存储器类型的存储器，存储器形成在半导体衬底中和半导体衬底上，并且包括多个存储器单元，多个存储器单元组织在以矩阵方式排列在存储器单元的行和列中的存储器平面中，每个存储器单元包括状态晶体管和隔离晶体管，状态晶体管包括源极区、漏极区、位于漏极(Ted)侧的注入窗口(INJT)、控制栅极和浮置栅极，隔离晶体管具有源极区、漏极区和栅极(CGI)，隔离晶体管的漏极区和状态晶体管的源极区是公共的。存储器的特征在于，其还包括隔离屏障，隔离屏障包括掩埋层，以及从掩埋层延伸到衬底的表面并垂直于掩埋层的至少一个壁，隔离屏障形成内部衬底，内部衬底包围存储器单元中的至少一个并将其与衬底的其余部分隔离。

存储器可以以以下方式实现。