[发明专利]运算放大器

权利要求书

1.一种用于输入级的差分对，包括：

两个并联的相同分支，每个分支包括串联布置的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同类型的沟道，而且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个晶体管均具有耦合到所述差分对的相同对应输入的栅极；以及

电路，被配置为向每个所述第一晶体管施加所述第一晶体管的源极与沟道形成区域之间的电势差。

2.根据权利要求1所述的差分对，其中每个第一晶体管的尺寸比是每个第二晶体管的尺寸比的X倍。

3.根据权利要求2所述的差分对，其中X在4至10的范围内。

4.根据权利要求3所述的差分对，其中X在5至6的范围内。

5.根据权利要求1所述的差分对，其中所述电势差被配置为以绝对值增加所述第一晶体管的导通阈值。

6.根据权利要求5所述的差分对，其中所述电势差被配置为使所述第一晶体管处于饱和状态。

7.根据权利要求5所述的差分对，其中所述电势差被配置为使每个第一晶体管的漏-源电压的绝对值大于所述第一晶体管的栅-源电压的绝对值减去所述第一晶体管的所述导通阈值的绝对值。

8.根据权利要求1所述的差分对，

其中每个分支中的所述第一晶体管具有与所述分支的第一端耦合的源极，

其中每个分支中的所述第二晶体管具有通过所述分支的有源负载耦合到所述分支的第二端的漏极，

其中所述分支的所述第一端通过电流源耦合到第一节点，所述第一节点被配置为处于第一直流电压，以及

其中所述分支的所述第二端耦合到第二节点，所述第二节点被配置为处于第二直流电压。

9.根据权利要求8所述的差分对，其中所述第一直流电压是Vdd，并且所述第二直流电压是GND。

10.根据权利要求8所述的差分对，其中所述第一直流电压是GND，并且所述第二直流电压是Vdd。

11.根据权利要求8所述的差分对，

其中所述有源负载包括与第三MOS晶体管串联的电阻器，所述第三MOS晶体管具有的沟道的类型与所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道的类型相反，

其中所述电阻器被耦合到所述分支的所述第二端，并且所述第三晶体管的漏极被耦合到所述分支的所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管是第四MOS晶体管的镜像，并且所述第三晶体管和所述第四晶体管是相同的。

12.根据权利要求11所述的差分对，其中所述电流源包括电流源MOS晶体管，所述电流源MOS晶体管具有的沟道的类型与所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道的类型相同，所述电流源MOS晶体管具有栅极，所述电流源MOS晶体管的所述栅极被配置为处于偏置电势。

13.根据权利要求8所述的差分对，其中所述电路包括：

电路MOS晶体管，所述电路MOS晶体管具有的沟道的类型与所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道的类型相同，其中所述电路MOS晶体管具有耦合至所述第一节点的源极和连接至每个所述第一晶体管的沟道形成区域的漏极，以及其中所述电路MOS晶体管的所述漏极通过电阻器进一步耦合至每个所述第一晶体管的所述源极。

14.根据权利要求1所述的差分对，其中在每个分支中，所述第二晶体管包括连接至所述第一晶体管的漏极的导电端子，以及形成所述差分对的输出的导电端子。

15.根据权利要求14所述的差分对，其中连接至所述漏极的所述导电端子是源极。