[发明专利]运算放大器在审
申请号: | 202111038231.8 | 申请日: | 2021-09-06 |
公开(公告)号: | CN114157253A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | P·匹格诺洛;P·费多罗夫;V·拉巴里 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 张昊 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器 | ||
本公开涉及运算放大器。在实施例中,用于输入级的差分对包括:两个并联的相同分支,每个分支包括串联布置的第一MOS晶体管和第二MOS晶体管,其中第一晶体管和第二晶体管具有相同类型的沟道,并且其中第一晶体管和第二晶体管中的每个晶体管均具有耦合到差分对的相同对应输入的栅极;以及电路,被配置为向每个第一晶体管施加第一晶体管的源机与沟道形成区域之间的电位差。
本申请要求于2020年9月7日提交的法国专利申请No.2009059的权益,该申请于此通过引用并入文本。
技术领域
本公开总体上涉及运算放大器,并且更具体地涉及运算放大器的输入级。
背景技术
运算放大器目前被用于电子设备或电路中。运算放大器通常包括输入级、一个或多个增益级、输出级,以及可能的一个或多个中间级。
这里特别考虑了具有输入级的运算放大器,其输入级包括至少一个CMOS(“互补金属氧化物半导体”)技术的差分对,例如,轨至轨运算放大器,其输入级包括P沟道MOS晶体管或PMOS晶体管的差分对,与N沟道MOS晶体管或NMOS晶体管的差分对并联。
这种已知运算放大器的差分对具有不理想的输入偏移。
发明内容
需要克服已知运算放大器的全部或部分缺点,并且特别是用于运算放大器输入级的已知差分对的缺点。具体地,期望使差分对适合用于运算放大器的输入级,其输入偏移不随差分对的输入之间的共模值(common-mode value)变化。
因此,实施例克服了已知运算放大器的全部或部分缺点。
例如,实施例克服了已知运算放大器输入级的全部或部分缺点。
例如,实施例克服了适合用于运算放大器的输入级的已知差分对的全部或部分缺点。
例如,实施例提供了一种能够用于运算放大器输入级的差分对,其具有的输入偏移与施加在差分对的输入之间的共模值无关。
一个实施例提供了一种用于运算放大器的输入级的差分对,包括:
两个并联的相同分支,每个分支包括第一MOS晶体管和具有相同类型沟道的第二MOS晶体管,这些分支被共源共栅组装,并且每个分支都具有耦合到差分对的相同对应输入的栅极;以及
电路,被配置为向每个第一晶体管施加第一晶体管的源极和沟道形成区域之间的电势差。
根据实施例,每个第一晶体管的尺寸比是每个第二晶体管的尺寸比的X倍。
根据实施例,X在4至10的范围内,优选在5至6的范围内。
根据实施例,电势差被配置为以绝对值增加第一晶体管的导通阈值。
根据实施例,电势差被配置为使第一晶体管处于饱和状态。
根据实施例,电势差被配置为使每个第一晶体管的漏-源电压的绝对值大于第一晶体管的栅-源电压的绝对值减去第一晶体管的导通阈值的绝对值。
根据实施例:
在每个分支中,第一晶体管具有与所述分支的第一端耦合的源极。
在每个分支中,第二晶体管具有通过所述分支的有源负载耦合到所述分支的第二端的漏极。
分支的第一端被耦合至由电流源施加直流电位的第一节点;以及
分支的第二端被耦合至施加第二直流电压的第二节点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(格勒诺布尔2)公司,未经意法半导体(格勒诺布尔2)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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